SOI提升晶圓良率 電子束檢測技術為關鍵

2005 年 10 月 21 日
絕緣層覆矽(SOI)晶圓由於具有低功率和高處理速度的優點,已獲得業界廣泛採用。這也使得採用新方法對SOI晶圓進行電子束檢測(EBI)的要求出現...
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

擔當功率緩衝重任 光耦合器提升PV逆變器性能

2013 年 04 月 15 日

LPWA技術打基礎 印度智慧城市大步向前

2018 年 03 月 12 日

非接觸感測增添電器便利性 磁元件實現位置/水位感測

2017 年 02 月 18 日

具效能/安全/成本優勢 RISC-V躋身晶片製造新利器

2019 年 09 月 19 日

改善電路設計/溫度監控 Type-C電纜快充升溫有解方

2019 年 09 月 23 日

L1/L5雙頻接收器與天線建功 GNSS力助通訊網路時序準確

2023 年 08 月 11 日
前一篇
Freescale DSPD56374讓更多人享受杜比音效技術
下一篇
MCU技術發展暨應用解析研討會11月3日登場