SSD推進2x奈米製程 控制IC首重ECC

作者: 蕭如涵
2010 年 01 月 19 日

受制於每GB快閃記憶體(Flash Memory)仍為2.5美元的高價,固態硬碟(SSD)僅能仰賴Flash製程演進以降低成本。3x奈米製程已成主流,未來2x奈米製程更可望降價至每GB Flash為1美元,矽統科技、祥碩科技等控制IC廠商已備戰,以錯誤碼修正(ECC)和支援各種Flash為研發目標。
 




祥碩科技產品行銷處資深協理莊景涪指出,雲端運算熱潮帶動SSD應用於企業伺服器的發展,可充分展現SSD耐震、省電之優勢。



祥碩科技產品行銷處資深協理莊景涪指出,若Flash製程進展至2x奈米,將使其儲存單位變小,在充、放電的寫入資料過程中耐久度易受損,良率也隨之降低,因此,ECC成為控制IC的重點。目前祥碩科技能做到每1KB資料中修正25B的錯誤資料,未來朝大於30B的目標努力。矽統科技市場部協理蔡政賢也表示,矽統科技關注ECC技術,該公司已可以做到512B資料中修正16B的資料錯誤,未來期盼可做到每1KB資料中修正24B的錯誤資料。
 



有鑑於Flash製程演進後,將使SSD讀寫速度變差,控制IC業者因此更關注如何克服此問題以維持整體系統效能。目前矽統科技已量產採用外掛動態隨機存取記憶體(DRAM)架構之控制IC,以提升隨機讀寫速率;而祥碩科技也計畫於2011年下半年推出外掛DRAM架構之IC產品,以延長使用壽命,預計可改善整體系統效能約達三至四倍。
 



未來,SSD控制IC業者除了著重ECC技術與整體系統效能提升外,更須具備支援各種Flash之能力,如矽統科技現階段研發的新款產品將可支援2x奈米Flash,無獨有偶,祥碩科技也計畫於2011年下半年推出相關解決方案。莊景涪強調,祥碩科技的控制IC也將持續支援英特爾(Intel)、美光(Micron)、海力士(Hynix)等業者主推的ONFI(Open NAND Flash Interface)Flash,以及三星(Samsung)與東芝(Toshiba)力拱的「Toggle Mode」Flash,而這也是現今控制IC業者普遍關注的研發重點。

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