意法半導體(ST)和電信/工業/國防和資料中心半導體解決方案供應商MACOM宣布，已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片，意法半導體與MACOM將繼續合作，並加強雙方的合作關係。
射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的發展潛力。早期世代的射頻功率放大器(Power Amplifier, PA)主要採用橫向擴散金屬氧化物半導體(Laterally-Diffused Metal-Oxide Semiconductor, LDMOS)射頻功率技術，氮化鎵(GaN)可為射頻功率放大器帶來更優異的射頻特性及更高的輸出功率，而且GaN可以製造在矽晶圓或碳化矽(SiC)晶圓上。然而，在高功率應用與射頻矽基氮化鎵對SiC晶圓的競爭下，加上其非主流的半導體製程，射頻矽基氮化鎵的成本可能更高。
意法半導體製造的原型晶片和元件已成功達到成本和性能目標，能夠與市面上現有的LDMOS和GaN-on-SiC技術有效競爭，並且即將進入認證測試與商業化的階段。因取得這次的進展，意法半導體與MACOM已開始討論進一步擴大研發，加速先進射頻矽基氮化鎵產品上市。
意法半導體功率電晶體子產品部總經理暨執行副總裁Edoardo Merli表示，相信該技術的性能等級與製程之成熟度現在已經能與LDMOS及射頻碳化矽基氮化鎵競爭，並且為無線基礎建設等大規模應用帶來成本效益與供應鏈之優勢。射頻矽基氮化鎵產品的商業化是與MACOM合作的下一個重要目標，隨著合作專案持續進行，期待能充分開拓此技術的潛力。
MACOM總裁暨執行長Stephen G. Daly則表示，公司在推動矽基氮化鎵技術商業化及量產持續取得良好的進展。與意法半導體的合作是射頻功率策略的重點，相信可以透過矽基氮化鎵技術滿足技術要求的目標應用領域以獲得更高市佔率。」
