3D電晶體架構不斷翻新 製程微縮還能繼續走下去

由於製程微縮的技術難度越來越高,半導體業界在過去十年,已兩度大改電晶體的結構設計,以創造出更大的微縮空間。也由於電晶體的結構設計將對電路微縮的潛力產生決定性影響,到2030年代初期,我們或許還將再看到一次電晶體結構的大幅轉變。 imec半導體研究計畫資深副總裁Serge...
2023 年 10 月 27 日

中國全力建置成熟製程產能 2027年占比上看33%

據TrendForce統計,2023~2027年全球晶圓代工成熟製程(28nm及以上)及先進製程(16nm及以下)產能比重大約維持在7:3。由於中國致力推動在地化生產、IC國產化等政策與補貼,故中國的...
2023 年 10 月 23 日

Lam Research CEO現身SEMICON Taiwan 2023

科林研發(Lam Research)宣布將參與SEMICON Taiwan 2023,以及其一系列技術論壇與座談會。總裁暨執行長Tim Archer、資深副總裁暨技術長Dr. Vahid Vahedi更將現身台灣,分享對產業發展趨勢的見解,以及如何在前所未見的複雜時刻下,加速半導體創新的觀點。 科林研發總裁暨執行長Tim...
2023 年 09 月 05 日

西門子創新Calibre DesignEnhancer優化IC布局

西門子數位化工業軟體日前推出創新解決方案Calibre DesignEnhancer,能幫助積體電路(IC)、自動布局布線(P&R)和全客製化設計團隊在IC設計和驗證過程中實現「Calibre設計即正確」設計布局修改,進而顯著提高生產力、提升設計品質並加快上市速度。 Calibre...
2023 年 08 月 07 日

台積電全球研發中心啟用 持續深耕先進製程技術

台積電7月28日於新竹科學園區舉辦全球研發中心啟用典禮,進駐的研究人員將專注於開發2奈米及更先進的製程技術,並探索新材料與電晶體結構等領域的研究。 台積電董事長劉德音表示,台積電全球研發中心匯集各領域...
2023 年 07 月 28 日

西門子EDA多項方案獲得台積電最新製程認證

西門子數位化工業軟體日前在台積電2023年北美技術研討會上公布一系列最新認證。作為台積電的長期合作夥伴,該系列認證是雙方協力合作的關鍵成果,將進一步實現西門子EDA技術對台積電最新製程的全面支援。 西門子...
2023 年 05 月 15 日

Ansys多物理解決方案通過台積電N2製程認證

Ansys延續與台積電的長期技術合作,宣布Ansys電源完整性軟體通過台積電N2製程認證。台積電N2製程採用奈米電晶體結構,體現半導體技術的重大進步,對高效能運算(HPC)、手機晶片和3D-IC晶片有顯著的速度與功率優勢。Ansys...
2023 年 05 月 11 日

台版晶片法補貼門檻定案 2024年正式適用

被稱為台版晶片法的產業創新條例第10條之2修正草案,已由經濟部自5月1日預告30日。這部名為「公司前瞻創新研究發展及先進製程設備支出適用投資抵減辦法」的草案規定,研發費用達60億元、研發密度達6%、購置用於先進製程之設備支出達100億元的企業,將可向經濟部提出申請,通過審核者將於2024年報稅時享有租稅優惠。 資誠聯合會計師事務所稅務法律服務會計師林巨峯對此草案進行重點整理如下: 前瞻創新技術&高階製程的定義 前瞻創新研發:指公司投資國內、外尚未全面具體成熟,但具有未來競爭優勢的國際領先技術;或公司針對國際市場相對成熟的技術,投入創新應用研究發展,使得該項技術產生領導型技術或開發新型態應用等。 先進製程:指公司投資於尚未成熟,但未來將可商業化量產的前瞻領先技術;或公司就已經達商業化量產的成熟製造技術,再投入創新性的應用。 前瞻創新研發活動種類 研發活動以建立自主研究發展能力為原則(除個別研究發展計畫有部分委外必要),故應設置有專責從事研究發展活動的單位,從事原型或新產品、新服務生產程序的開發設計,以及開發新原料、新材料或零組件。但若是為改進現有產品、生產程序及現有原料、材料或零組件所投入的研究發展活動,則不屬前瞻創新範圍。 前瞻創新研發支出&營收占比門檻 在同一課稅年度內的研究發展費用達新台幣60億元,且在同一課稅年度內的研究發展費用占營業收入淨額比率達6%。 前瞻創新研發活動地點與成果使用限制 研發活動以在我國境內從事者才能認列。但考量到國內外產學研共同研究發展乃現行產業創新之常態,故與國內外公司、大專校院或研究機構共同研究發展,其所為之支出部分亦得列入適用。 研發的產品或技術,以專供公司自行使用為原則,如供他人製造或使用,應取得合理的權利金或報酬;未收取合理權利金或報酬者,應能提示合理利潤配置的移轉訂價文件等。 先進製程支出門檻、安裝地點限制 公司同一課稅年度購置自行使用在先進製程的全新機器或設備支出(僅限硬體),總金額達新臺幣100億元者才可適用,且安裝地點以公司自有或承租的我國境內生產場所為限。但因行業特性須安裝在我國境內特定處所者,不在此限。購置後3年內安裝地點如有變動,公司應自行向稅捐稽徵機關申請備查。 有效稅率門檻 申請適用者的年度有效稅率應達規定比率,112年度為12%,113年度原則為15%,但得調整為12%,114年度起為15%。所謂有效稅率是指公司當年度應納所得稅額,減除1)依境外所得來源國稅法規定繳納之所得稅可扣抵之稅額、2)大陸地區來源所得在大陸地區及第三地區已繳納之所得稅可扣抵稅額、3)依法律規定之投資抵減稅額,其餘額占全年所得額的比率。全年所得額以稽徵機關核定數為準,投資抵減稅額以公司當年度實際抵減額計算。 抵減率規定 前瞻創新研究發展支出,得按支出金額25%,抵減當年度應納營所稅額,並以不超過該公司當年度應納營所稅額30%為限。研發支出以稅捐稽徵機關核定數為準,不包括政府補助款及研究發展單位產生之收入在內。 先進製程全新機器或設備,得按支出總金額5%,抵減當年度應納營所稅額,並以不超過當年度應納營所稅額30%為限。並以公司購置機器或設備的交貨年度為適用年度。 公司同一年度合併上述兩項投資抵減,或與產創條例、其他法律規定的投資抵減合併適用時,合計得抵減總額不得超過當年度應納營所稅額的50%。但依其他法律規定當年度為最後抵減年度且抵減金額不受限制者,不在此限。 申請程序 公司應於辦理當年度營所稅結算申報期間開始前三個月起至申報期間截止日內(曆年制為2月1日至5月31日),檢附紙本文件向經濟部申請審查是否符合資格條件,並提出前瞻創新研發支出證明文件,或購置先進製程全新機器設備之支出證明文件及先進製程投資計畫等,逾期申請者不予受理。 不得重複適用租稅優惠 公司經核准適用前瞻創新研究發展及先進製程設備支出投資抵減者,當年度全部研究發展支出,不得再適用產創條例及其他法律有關研究發展支出的所得稅優惠;當年度全部購置機器及設備支出,也不得適用產創條例及其他法律規定之機器或設備投資的所得稅優惠。 申請更正程序 經審查不符合適用條件者,可在主管機關審查結果送達之次日起一個月內,向稅捐稽徵機關申請更正改適用產創條例第10條研發投資抵減及第10條之1智慧機械投資抵減,並且副知經濟部。經濟部規劃的草案是將就原申請文件改依更正申請項目審核,其中智慧機械設備也不受線上申請的限制。 3年內不得移轉變更目的 申請專供前瞻創新研發用的專利權、專用技術、著作權、專業性或特殊性之資料庫、軟體程式及系統,或使用於先進製程的全新機器或設備,在購置之次日起3年內不得轉借、出租、轉售、退貨、安裝地點不符或變更原使用目的,否則應補稅並加計利息。但依企業併購法規定辦理合併、分割...
2023 年 05 月 03 日

自動量測精準分析先進製程參數 TEM量測助2nm製程不卡關

當半導體製程逐漸縮小至3奈米(nm)甚至2nm節點(Node),精準量測每個關鍵參數,並以大數據(Big Data)技術優化生產方法,對於改善製程良率至關重要。但傳統手動量測方法效率低、誤差大,成本又高。因此,唯有透過自動量測,才能快、狠、準取得正確參數,持續產出大量的奈米尺度元件數據,例如:薄膜厚度(Film...
2023 年 04 月 20 日

EBSD精準解析晶體結構/強化封裝可靠度(1)

當摩爾定律走到盡頭,先進封裝已然成為接棒者,但先進封裝是否能成功發展?關鍵之一在其中的材料晶體結構,掌握晶體結構就需要依靠先進分析利器EBSD。 隨著先進製程的發展,晶片尺寸已經接近1奈米的物理極限,摩爾定律正步入尾聲,而先進封裝技術已成為下一個關鍵發展方向。尤其是具備高度晶片整合能力的異質整合封裝技術,已成為超越摩爾定律的重要技術之一。近期,各國都在擴大先進晶片封裝的能力,包括韓系大廠重金挖腳對手,期望能在CoWos...
2023 年 04 月 13 日

EBSD精準解析晶體結構/強化封裝可靠度(2)

當摩爾定律走到盡頭,先進封裝已然成為接棒者,但先進封裝是否能成功發展?關鍵之一在其中的材料晶體結構,掌握晶體結構就需要依靠先進分析利器EBSD。 案例二:共晶層分析銅柱焊接品質 在銅柱焊錫接點中,銅和錫在共晶反應後完成焊接,而界面的共晶層(Intermetallic...
2023 年 04 月 13 日

供應鏈庫存去化緩慢 2023年晶圓代工產值恐衰退4%

據研究機構TrendForce調查,2023年第一季晶圓代工從成熟至先進各項製程需求持續下修,各大IC設計廠晶圓砍單從第一季將蔓延至第二季,且目前各晶圓代工廠第一至第二季產能利用率表現均不理想,第二季...
2023 年 01 月 30 日
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