當各種應用廣泛採用機器視覺(Machine Vision)來完成交付的任務後，單純的應用環境與特定情境已不能滿足對機器視覺的期望。尤其近年從工業自動化、汽車自駕到AI的風潮下，對於攝影機的要求也越來越高。因此，除了可見光譜之外，利用各種光譜光源的影像來補足可視範圍的影像訊息越來越重要，甚至需要某些光譜才能達成特定的視覺效果。 其中，超越可見光譜穿透性的短波紅外線(SWIR)，成為未來工業機器視覺與汽車ADAS自駕不可或缺的鏡頭。因為在SWIR的照射下，某些物質會像玻璃一樣透明。因此，SWIR提供給AI訓練的影像內容，超越傳統攝影機的訊息，例如，讓移動裝置能在下雨或煙霧的氣候條件下進行模型訓練，而在工業生產檢測時，則能獲得材料或溫控的更多特徵資料，進行升級學習。 SWIR的定義與特性 SWIR是短波紅外線(Short-Wave...

安森美(onsemi)與格羅方德(Globalfoundries)宣布達成全新合作協定，雙方將共同研發並製造下一代氮化鎵(GaN)功率元件，首發產品為650V元件。該系列產品將結合格羅方德200毫米增強型矽基氮化鎵工藝，以及矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，為AI資料中心、汽車、工業、航空航太等應用場景提供更小、更高能效的系統解決方案。 安森美企業戰略高級副總裁Dinesh...

貿澤電子即日起供貨安森美的最新授權產品和解決方案。貿澤提供超過22,000種授權元件可供訂購，包括超過17,000種的現貨庫存，隨時可出貨，並提供各式各樣的安森美技術，協助買家和工程師將產品推向市場。安森美的智慧電源和感測解決方案可用於許多應用，包括車輛電氣化和安全、工業自動化、永續能源電網，以及5G和雲端基礎架構。 貿澤供應的安森美電源產品組合中，有單一N通道功率MOSFET，可提供40V、60V和80V汲極至源極電壓與±20V閘極至源極電壓。這些功率MOSFET具有低RDS(ON)、低QG及電容，可大幅減少傳導損耗和驅動損耗。安森美NCP718...

隨著全球能源需求因AI資料中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增，安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。這些新一代GaN-on-GaN功率半導體能夠使電流垂直穿過化合物半導體，支援更高的工作電壓和更快的開關頻率，助力AI資料中心、電動汽車(EV)、可再生能源以及航空航太等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。 專有的GaN-on-GaN技術實現更高壓垂直導電，支援更快的開關速度和更緊湊的設計，降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%。該技術由安森美在紐約雪城的研發團隊開發，涵括基礎工藝、元件架構、製造及系統創新的130多項專利。 安森美的垂直GaN技術是一項突破性的功率半導體技術，為AI和電氣化時代樹立了在能效、功率密度和穩健性方面的新標竿。該技術在安森美紐約雪城的工廠研發和製造，並已獲得涵蓋垂直GaN技術的基礎工藝、元件設計、製造以及系統創新的130多項全球專利。 安森美企業戰略高級副總裁Dinesh...

安森美宣布與輝達合作，共同推動向800伏特直流(VDC)供電架構轉型。這一變革性解決方案將推動下一代人工智慧(AI)資料中心在能效、密度及永續性方面實現顯著提升。 新型配電系統是這變革的核心——它必須...

貿澤電子即日起供貨安森美Acuros CQD短波紅外線(SWIR)相機。Acuros CQD相機具備適用於可見光、近紅外線(NIR)、短波紅外線(SWIR)光譜的高解析度成像和感測能力，適用於機器視覺、保全、工業、熱像圖成像、汽車、農業和醫學成像。 安森美Acuros...

安森美推出其第一代基於1200V碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的SPM 31智慧功率模組(IPM)系列。與使用第7代場截止(FS7) IGBT技術相比，EliteSiC SPM...

安森美推出其首款即時、間接飛行時間(iToF)感測器Hyperlux ID系列，可對快速移動物體進行高精度長距離測量與三維成像。Hyperlux ID系列使用全新專有全域快門像素架構且自帶存儲，可以捕捉整個場景，同時即時進行深度測量。這種創新方法突破標準iToF感測器的局限性，實現最遠30公尺的深度感知，是標準iToF感測器的四倍，而且外形尺寸更小。此外，該感測器系列還能同時生成黑白影像和深度資訊。透過結合這兩種輸出，該感測器系列可以提供全面的環境檢視，而無需為視覺和深度資料分別配置不同的感測器。 Hyperlux...

貿澤電子(Mouser Electronics)與安森美和Würth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。 全球逆變器市場的成長動力來源，主要來自微型逆變器和串式逆變器在安裝上的便利性，以及對再生能源基礎架構投資的增加。如此的鉅額投資注入到農村電氣化和再生能源領域，預計將為市場上現有及新加入的廠商創造利潤豐厚的商機。 安森美的碳化矽(SiC)解決方案可滿足最高等級的效率、可靠性和安全性需求，另外其升壓和逆變器功率整合模組(PIM)則是針對電網介面電子裝置所設計。再搭配Würth...

由於具有低功率消耗、開關速度不俗等特性，蕭特基二極體是一種廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路的半導體元件。雖然工程師在設計這類電路時，常常會用到蕭特基二極體，但對於蕭特基二極體的部分關鍵參數和特性，可能還沒有給予足夠的重視。 漏電流 在一定的反向偏置下，流過二極體卻又不足以引起反向擊穿的電流，稱之為漏電流。漏電流不是一直不變的，一般情況下，漏電流通常會隨著溫度和施加的反向偏置電壓的量而增加。 與標準二極體相比，蕭特基二極體的漏電流較高，電氣穩定性和長期可靠性較低。表2記載了onsemi...

由於具有低功率消耗、開關速度不俗等特性，蕭特基二極體是一種廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路的半導體元件。雖然工程師在設計這類電路時，常常會用到蕭特基二極體，但對於蕭特基二極體的部分關鍵參數和特性，可能還沒有給予足夠的重視。 本文將以安森美(onsemi)的NSR0340HT1G為例，詳細介紹蕭特基二極體的結構、特性，以及工程師需要重點關注，但可能被忽略的幾個關鍵參數。 蕭特基二極體結構說明 蕭特基二極體即熱載流子二極體，其結構與基於P-N結的普通二極體不同。蕭特基二極體使用的是鍵合到N型摻雜材料中的單層薄金屬，而不是雙層摻雜半導體材料(圖1)。這種金屬與N型半導體層疊的組合也稱為金屬-半導體結(M-S結)。這種金屬可以是貴金屬中的任何一種，如鉑、鎢、金等。不同廠商提供的蕭特基二極體，往往都會使用自己獨家的金屬配方。 圖1　普通二極體與蕭特基二極體的結構差異 M-S結的金屬側形成了陽極，半導體側成為陰極。正向偏壓時，蕭特基二極體的最大正向壓降在0.2~0.5V範圍內，具體取決於正向電流和二極體類型。當蕭特基二極體與電源串聯使用時，例如在反向電壓保護電路中，這樣的低正向壓降是非常有用的，因為它能夠降低功率損耗。 蕭特基/普通二極體特性比較 由於蕭特基二極體與普通二極體的結構不同，因此這兩種二極體在特性上有許多差異，工程師在進行設計時必須特別注意。詳細說明如下。 正向電流 與普通二極體相比，蕭特基二極體由於耗盡區較窄，因此無法承受高反向電壓。反向電壓(Reverse...

貿澤電子(Mouser Electronics)身為全球原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，為客戶提供優勢，協助加快產品上市速度。貿澤受到超過1,200個半導體及電子元件製造商品牌的信賴，幫助他們將新產品賣到全世界。貿澤只為客戶提供100%通過認證的原廠產品，而且還能追蹤這些產品從一離開製造商工廠後的完整路線。 貿澤於前一季度共推出超過6,500個元件編號，且這些元件均可立即出貨。 貿澤從七月到九月發表的部分產品包括： 安森美NCx51152隔離式單通道閘極驅動器：安森美NCx51152為單通道閘極驅動器，專為快速切換所設計，用於驅動功率MOSFET和SiC...