TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析，TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份，進行自我校正計算，可提高EDS定量分析的準確度。 隨著半導體製程已逼近物理極限，各國大廠不斷從材料著手想要突破研發瓶頸。材料分析對於改善半導體缺陷、提升製程良率，是非常重要的關鍵。現今的工程師想要解析微奈米材料時，經常會使用電子顯微鏡加裝X光能量散布能譜儀(X-ray...

TEM/EDS除了用於本文中提到的材料元素分析，TEM/EDS亦可應用於材料濃度的成份定量分析。EDS定量分析技術利用待分析物周圍已知成份，進行自我校正計算，可提高EDS定量分析的準確度。 (承前文)圖4的橫軸是原子序，縱軸是Cu...

車用IC上板至PCB的焊點可靠度測試(BLR)以往僅在AEC-Q104標準中稍作提及。終於在2024年3月，眾人引頸期盼之下，針對車用板階可靠度的AEC-Q007標準問世。 汽車電子協會(Automotive...

車用IC上板至PCB的焊點可靠度測試(BLR)以往僅在AEC-Q104標準中稍作提及。終於在2024年3月，眾人引頸期盼之下，針對車用板階可靠度的AEC-Q007標準問世。 驗證前的PCB設計 (承前文)了解零件Daisy...

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類，以及差排在矽基板內的延伸軌跡。 在晶片製造過程中，差排是一個相當棘手的問題。這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。但要充分發揮其威力，需要相當的技術與知識。 第一類半導體材料為矽和鍺，由於晶圓提煉技術成熟，單晶晶片中的缺陷密度非常低，通常只有零度空間型的空缺(Vacancy)缺陷，而一度空間型的差排(Dislocation)缺陷濃度近乎零。然而，在離子布植的製程中，如果熱處理程序不當，就會在半導體元件的主動區殘留一些差排晶體缺陷。主動區內的差排如果穿過p-n接面，就會變成漏電流的通道，降低元件的可靠性。 TEM/掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)是目前唯一看得到差排的奈米材料分析技術。透過特定的繞射條件，TEM/STEM影像可以推算差排密度和差排類型[1...

差排這個微小缺陷可能會引發半導體元件的漏電流，進而嚴重影響元件的可靠性。穿透式電子顯微鏡(TEM)是目前唯一能觀察到微小差排的分析工具。TEM可以分析差排的型貌、密度和種類，以及差排在矽基板內的延伸軌跡。 TEM影像的場深和景深 (承前文)圖3是一組簡易的薄凸透鏡成像光路圖(Ray...

隨著全球科技產業持續追求創新與可持續發展，宜特宣布正式取得USB-IF協會的授權，成為USB Power Delivery(PD)認證測試實驗室，將可協助客戶驗證產品是否能夠正確的傳輸和接收電力，確保產品符合USB-IF最新的Power...

飛針測試技術不僅可幫助IC研發工程師在PCB和PCBA階段進行初期品質檢查，還可以在可靠度應力測試後，監控元件上板品質。 在AI和高效能運算(HPC)等應用蓬勃發展下，IC製造商不斷致力於研發效能強大、體積小巧的3D堆疊異質整合晶片。乘載晶片的印刷電路板(Printed...

飛針測試技術不僅可幫助IC研發工程師在PCB和PCBA階段進行初期品質檢查，還可以在可靠度應力測試後，監控元件上板品質。 PCB變形補償機制 (承前文)考量到PCB製造過程中可能產生的微量變形(Warpage)而影響飛針測試，廠商如宜特的ICT飛針測試採用雷射掃描技術，在區塊性掃描PCB板彎翹時，能夠補償探針的下針深淺度，以確保飛針測試的準確和可靠性。 飛針測試的四大使用時機： 生產流程中驗證元件功能 ICT飛針測試能夠在主被動元件表面黏著技術(Surface-mount...

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。 現在最受市場關注的第三類半導體，以氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)為主，這兩者亦是高頻通訊元件和功率半導體元件的兩大材料。過去受限於部分材料取得不易且昂貴等因素，主要應用領域僅局限於國防、航太等，近年因半導體技術進展，GaN/SiC成本下降，而逐漸普及化應用到工業、汽車與消費性電子產業。 相較於其他的半導體材料，氮化鎵因有著耐高壓高溫、低電阻、極佳的導電和導熱性，體積小、能耗也小，在全球淨零碳排的趨勢推升下，市場研究公司Yole預測氮化鎵的市值將從2022年的1.84億美元，成長到2028年20.4億美元。但氮化鎵的一大缺點就是，單晶內的差排晶體缺陷密度遠高於其他半導體單晶，而後續元件發生漏電流的機率是否提高而導致功能異常，取決於氮化鎵單晶內的差排密度和類型。 目前穿透式電子顯微鏡(TEM)中的雙束繞射成像，是目前唯一可以辨別差排類型的微奈米材料分析技術。本文將簡單介紹如何分析氮化鎵單晶內的差排類型。進一步討論氮化鎵的差排種類分析之前，將先介紹差排的基礎概念和TEM分析差排型晶體缺陷的技術，助益讀者瞭解如何用TEM分析氮化鎵晶體內的差排。 差排的基礎概念 在材料科學與工程上，固態無機材料分為二大類型，晶體(Crystal)和非晶質(Amorphous)。兩者的主要區別是原子的排列方式。非晶質固體中的原子排列沒有規則性，或者說只有短程(小於2奈米)的規則性。典型的材料為日常生活中隨處可見的玻璃，所以非晶質也常被稱為玻璃相(Glass...

對比前兩大類半導體材料，第三類半導體氮化鎵因製程原料關係，易產生大量的差排缺陷，而差排的密度和種類，又是影響元件功能的一大要素。如何解析差排類型，並將差排的密度控制在一定範圍，是第三類半導體發展的重要關鍵。 雙束條件/差排的不見性 (承前文)晶體的TEM電子繞射條件有三大主要類型，包含正極軸條件(Exact...

近年來新能源車輛，包括油電混合車和純電動車迅速普及。儘管車市近期遇到了一些逆風，比如特斯拉的財報下滑以及美國汽車製造商的大罷工，甚至有製造商萌生出減緩發展電動車的考慮。但從長期來看，電動車仍是不可忽視的大趨勢。 這一趨勢得益於現代消費者不再僅滿足於車輛的基本功能，期望汽車能搭載更先進的技術，如聯網、自動駕駛、共享服務和電池動力等創新功能。這促使汽車製造商積極回應未來的智慧汽車趨勢，對於車用電子元件亦日益重視，不僅要求功能安全，還要經過一連串嚴格的可靠度測試，以確保產品在安裝之前無故障或損壞，來滿足新興汽車市場的需求。 為了確保車用元件的可靠度，車規AEC-Q100釋出最新改版。汽車電子委員會(Automotive...