瑞薩電子推出低損耗/超迷你型功率MOSFET

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出專為智慧型手機與平板電腦等可攜式電子產品所設計之八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品。上述新款裝置包括20V(VDSS)–µPA2600與30V–µPA2601，皆具備業界的低損耗(低導通電阻)效能，並採用超小型2毫米(mm)×2毫米封裝，可為小型行動裝置提供更高的能源效率及小型化。 ...
2012 年 05 月 17 日

瑞薩電子32位元MCU瞄準數位電源控制市場

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布全新的32位元RX62G，加入RX600微控制器(MCU)系列家族產品。此MCU係針對數位電源控制應用量身打造，包括含功率因數校正(PFC)的馬達控制、數位電源供應、不斷電系統(UPS)及太陽能逆變器等。 ...
2012 年 05 月 02 日

瑞薩功率MOSFET縮減40%安裝面積

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出八款新型低損耗P通道與N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–20伏特(V)(VDSS)µPA2600與30V...
2012 年 04 月 27 日

瑞薩電子擴展台灣/中國採購部門強化採購體系

瑞薩電子(Renesas Electronics)日前成立直接由管理高層控管的全球資源管理部，以進一步強化並促進全球物料採購的效率。同時，瑞薩電子為加強全球物料採購體系，也將擴展目前隸屬於台灣與中國銷售子公司的海外採購辦公室。 ...
2012 年 04 月 23 日

瑞薩電子新型智慧型功率裝置鎖定汽車應用

瑞薩電子(Renesas Electronics)發表包括μPD166023等十四款新型智慧型功率裝置(IPD)，專為汽車應用所設計，可用於驅動外部燈光如頭燈與霧燈，以及座椅加熱器與馬達。  ...
2012 年 04 月 18 日

瑞薩32位元MCU聚焦變頻器控制應用

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出RX微控制器(MCU)系列的最新產品–RX63T。RX平台是以新一代的RX處理器(CPU)為基礎，並整合瑞薩現有的16位元與32位元MCU產品功能。該系列共有六項產品，除高速、高效能、低功率的32位元RX600系列外，新產品系列更採用特殊的變頻器控制計時器與類比功能，滿足當今變頻器控制用途需求。 ...
2012 年 04 月 02 日

瑞薩32位元MCU搭載40柰米快閃記憶體

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出針對汽車用途設計的全新32位元微控制器(MCU)–RH850系列。RH850採用40奈米(nm)金屬氧化氮氧化矽(MONOS)嵌入式快閃記憶體，並以32位元核心技術展現運算能力，提供超低功率處理科技所帶來的效益。 ...
2012 年 03 月 19 日

瑞薩LED驅動器IC安裝空間縮小40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出全新發光二極體(LED)驅動器IC－R2A20135SP。這款最新的驅動器IC系列產品是專為高準確度、高效率LED燈光系統所設計，採用晶片式調光功能，並可將所需的安裝區域縮小40%，成為LED照明設備製造商的理想解決方案。 ...
2012 年 03 月 13 日

爭搶智慧電網大餅　G3/PRIME積極拉攏晶片商

G3及PRIME正全力爭取晶片商支持，搶進智慧電網。其中，G3技術陣營的主導廠商Maxim已大開專利之門，期吸引更多晶片業者加入G3解決方案研發行列，共同做大市場；而PRIME聯盟則以西班牙與葡萄牙擴大智慧電網建置計畫為誘因，刺激晶片商會員加碼投入。
2012 年 03 月 12 日

瑞薩針對筆記型電腦推P-Channel MOSFET

瑞薩電子(Renesas Electronics)推出五款低損耗P-Channel金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列產品，包括針對筆記型電腦鋰離子二次電池之充電控制開關，以及交流電(AC)變壓器電源供應開關之電源管理開關等用途進行最佳化的μPA2812T1L。新款MOSFET已供應樣品，計畫自今年4月起開始量產，並預估2013年4月達到每月5百萬顆之合併產能。 ...
2012 年 03 月 01 日

葡、西電廠相挺　PRIME-PLC勢力坐大

電力線智慧電表進化(PRIME)標準的發展正明顯加溫。繼西班牙電廠IBERDROLA宣布於2012～2013年增購一百萬個採納PRIME標準的智慧電表(Smart Meter)後，包括HC Energía、Gas...
2012 年 02 月 23 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力，新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統；亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術，相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置，可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日
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