從貝爾實驗室(Bell Labs)到台灣新創，超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies)總經理吳展興，走過三五族化合物半導體產業發展的黃金年代，並創造了許多經典應用。 超赫科技採用無晶圓廠模式，專注於元件設計與IP開發，委託代工廠生產。   這位在美國半導體產業耕耘超過三十年的資深專家，選擇將畢生累積的技術與經驗帶回這片土地，協助打造台灣在化合物半導體領域的競爭優勢。吳展興與三五族半導體的淵源，可追溯到1974年他在清華大學物理研究所攻讀碩士時期。當時正值半導體產業從矽(Silicon)轉向化合物半導體探索的關鍵時刻。 貝爾實驗室起點　見證異質結構技術革命 1982年在美國加州大學攻讀博士期間，吳展興開始接觸砷化鎵(GaAs)技術。1984年博士畢業後，他進入位於紐澤西州默里山(Murray...

5G通訊將帶動砷化鎵(GaAs)市場明顯成長。根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出，現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求，逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料，加上5G布建逐步...

為了克服毫米波巨量天線之相位陣列系統設計，工研院資通所提出適用於砷化鎵製程的相位補償技術，可用於毫米波頻段的高線性度功率放大器。

由於手機產業飽和而過了一段發展停滯期，砷化鎵(GaAs)晶圓市場因新興應用帶動重拾成長動能。根據市調機構Yole Développement(Yole)最新研究報告指出，2017年至2023年GaAs晶圓的年複合成長率(CAGR)為15%，其中光子學應用CAGR更高達37%。 GaAs四大應用包括：RF、光子學、LED和PV。GaAs為最成熟的化合物半導體之一，GaAs無處不在，成為每個手機中功率放大器的基石。在2018年，GaAs...

太陽能(PV)奈米線技術再突破。瑞典先進材料新創公司Sol Voltaics已經證明其奈米線技術成功在薄膜上取得校準(Alignment)和定向(Orientation)。此項成就是太陽能奈米線製造迄今最重要的技術里程碑，將使現今的PV模組轉換效率提升50%，實現27%及更高的轉換效率。 Sol...

亞德諾(ADI)推出一款為9KHz到13GHz特定頻段應用的吸收式單刀雙擲(SPDT)開關–HMC1118LP3DE。新產品具備在8GHz操作時48dB高隔離度和0.6dB低插入損耗性能表現，同時是亞德諾新型射頻和微波控制產品陣容中，首款展現矽製程技術優勢的產品，且提供超越傳統砷化鎵射頻開關的優勢。 這些優勢包括比砷化鎵快一百倍的穩定時間、較佳的靜電放電(ESD)保護，並具有延長開關的低頻端，較砷化鎵低一千倍的能力，同時維持高線性度。 新產品亦提供4瓦(W)的射頻功率處理功能與0.5瓦的熱切換工作模式，熱切換功率處理，比使用類似射頻頻寬的同級元件性能佳，使工程師得以在應用方案和系統中增加容許的射頻功率，而無損壞零件的風險。 該產品在13GHz寬工作頻率範圍內，達到高隔離度和極度平坦傳輸特性最佳化，同時維持降至9kHz的高訊號保真度，這些特性組合使這款開關適用於要求嚴苛的量測、自動測試設備、國防電子和無線通訊應用方案，相較於傳統砷化鎵開關，是更低成本的替代方案。 ADI網址：www.analog.com...

互補式金屬氧化物半導體射頻(CMOS RF)方案將乘物聯網之勢快步崛起。為加速物聯網裝置和應用普及，業界正積極研發成本低至1美元的無線感測網路節點(WSN)，引發系統關鍵零組件大幅降價的需求；對此，RF晶片商正醞釀以CMOS製程取代傳統砷化鎵(GaAs)方案，以縮減一半以上晶片成本，實現超低價WSN。 RFaxis全球銷售副總裁Raymond...

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動，下一代5G標準亦蓄勢待發，驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾，除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外，亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度，吸引晶片商加緊展開卡位。   英飛凌(Infineon)電源管理及多元電子事業處射頻暨保護元件協理麥正奇表示，隨著多頻多模LTE及LTE-A設計加溫，手機廠對FAM各類元件如PA、LNA、開關(Switch)和濾波器(Filter)等需求皆顯著攀升，進而激勵矽鍺碳(SiGe:C)、砷化鎵(GaAs)和互補式金屬氧化部半導體(CMOS)射頻元件供應商士氣大振，正相繼投入開發新產品。   據悉，除美、日和韓全面啟動LTE商轉外，中國大陸亦可望於今年下半年發出4G執照，加速TD-LTE營運，而台灣也可望於年底順利發照，讓LTE進入高速成長期，並朝國際漫遊與可向下相容2G/3G的多頻多模規格發展。不僅如此，南韓、美國電信商近期更進一步點燃LTE-A商轉戰火。   隨著行動通訊技術不斷「加料」，行動裝置射頻FAM也須在有限空間內導入高整合設計。目前多頻多模LTE手機須支援十幾個頻段，搭載PA、LNA和射頻開關數量皆較3G手機倍增，其中PA需七至八顆、LNA和開關則需二十到三十顆；未來手機邁向更高速、頻寬更大且使用頻段更多元的LTE-A和5G，射頻元件用量更將三級跳，驅動晶片商提高產品整合度，以縮減占位空間及功耗。   麥正奇分析，傳統砷化鎵射頻方案受限於製程特殊性，難與其他系統零組件整合，因此晶片商正猛踩油門推進新一代製程與封裝技術。如英飛凌主攻矽鍺碳材料製程，並搭配小型晶圓級封裝(WLP)方案，打造高效能、高整合度且支援高頻切換的單晶微波積體電路(MMIC)LNA；而高通(Qualcomm)亦推出CMOS...

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優勢快速崛起。高通(Qualcomm)推出支援多頻多模長程演進計畫(LTE)的CMOS PA後，已引起業界對此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關注，尤其中低階手機製造商更將其視為升級產品通訊規格的重要途徑而擴大導入，將有助CMOS...

薄膜太陽能嵌入式應用熱潮將起。GaAs薄膜太陽能電池技術大躍進，不僅製造成本大幅下滑、光電轉換效率高達29%，還能實現可彎折設計，將有助拓展行動裝置、汽車、建築及無人飛行載具等多元嵌入式電源應用市場。

低價、高效率砷化鎵(GaAs)薄膜太陽能將成為無所不在的嵌入式電源。不畏太陽能產業低迷，美國矽谷薄膜太陽能技術創新公司–Alta Devices正積極透過專利的GaAs材料薄化、堆疊及晶圓重複利用技術，量產低成本且轉換效率高達29%的可彎曲薄膜太陽能電池，藉此衝刺行動裝置、汽車、建築及無人飛行載具(UAV)等嵌入式應用市場。 Alta...

為因應亞太與美國太陽能市場在未來數年內的搶裝潮，各太陽能廠商皆戮力達成太陽能與「市電同價」的目標，並設法降低對政府補貼的依賴，因而使高轉換效率、可偵測環境因素的智慧型太陽能發電系統備受重視，成為業者爭...