消耗多餘產能 LED業者跨足GaN功率元件製造

節能趨勢讓氮化鎵(GaN)功率元件日益受到市場關注,並吸引愈來愈多業者爭相投入。除既有的半導體業者外,LED製造商也已計畫將過剩的產能用於生產氮化鎵功率元件,以開闢新的獲利來源,將有助擴大氮化鎵功率元件市場滲透率。
2012 年 04 月 16 日

瑞薩電子碳化矽裝置較傳統矽功耗降低40%

瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發採用碳化矽(SiC)之蕭特基阻障二極體(Schottky barrier diode, SBD)–RJS6005TDPP。碳化矽材料在功率半導體裝置領域具有相當大的發展潛力,新款SiC蕭特基阻障二極體適用於空調、通訊基地台及太陽能發電陣列等高輸出電子系統;亦整合由日立(Hitachi)與瑞薩電子共同研發的技術,相較於瑞薩電子採用傳統矽(Si)材料的現有功率裝置,可降低約40%的低功耗表現。 ...
2012 年 02 月 16 日

下世代功率半導體競技賽開打 GaN/SiC爭搶主流寶座

基於GaN與SiC材料的新世代功率半導體技術之間的戰火,近期再度升溫,尤其在首款SiC功率半導體商品成功問世後,更讓SiC技術聲勢大漲;面對SiC技術急起直追,已推出低電壓功率產品的GaN陣營亦不甘示弱,正積極朝向更高電壓市場邁進。
2011 年 05 月 30 日

商用進展邁大步 SiC功率半導體前景看俏

繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後,快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC,正式跨入碳化矽功率半導體領域;此外,包爾英特(...
2011 年 04 月 26 日