研究機構Yole Developpement近日發表最新報告指出，在Tesla等電動車製造商大舉導入碳化矽(SiC)功率元件的情況下，2021年全球SiC功率元件市場的規模比2020年大幅成長57%，並首度跨過10億美元大關。Yole預估，到2027年時，SiC相關元件及模組的市場規模將達到60億美元。 目前SiC功率元件市場是IDM業者的天下，前六大供應商分別為意法半導體(ST)、英飛凌(Infineon)、Wolfspeed、羅姆(ROHM)、安森美(onsemi)與三菱電機(Mitsubishi...

在早前公布未來十年針對碳化矽(SiC)的10億美元投資計畫後，國際功率元件商II-VI日前進一步宣布擴廠，將計畫付諸實行。據悉，該公司本次投資鎖定6吋(150mm)與8吋(200mm)碳化矽基板以及磊晶晶圓(Epitaxial...

英飛凌(Infineon)宣布將在馬來西亞居林工廠擴建第三個廠區，新廠區將專門用來生產碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體元件，並進一步鞏固其在功率半導體市場的地位。英飛凌預估，新產能投產後，每年將可為公司創造20億歐元的收入。 此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略而做出的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該專案打下了良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升這一領先地位，強化公司整體的競爭優勢。這種競爭優勢的形成來自於英飛凌「從產品到系統」的戰略方針，以及在該方針指引下所實現的技術領先性、全面的產品組合以及對應用的深刻理解。 英飛凌營運長Jochen...

根據TrendForce預估，由於電動車對延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平台高壓化將是無可避免的趨勢，許多車廠亦已陸續推出800V高壓車型。在電動車滲透率不斷升高，以及整車架構朝800V高壓方向邁進的情況下，預估到2025年時，全球電動車市場對6吋SiC晶圓的需求量可達169萬片。 800V電氣架構的革新將促使耐高壓SiC功率元件全面替代Si...

意法半導體(ST)日前宣布與美國科學技術研究單位A*STAR的微電子研究所(IME)共同投入碳化矽(SiC)開發，為新加坡的電動車與工業市場奠定基礎。 IME執行長Dim-Lee Kwong表示，很高興與意法半導體共同投入碳化矽的研發，藉以滿足電動車市場不斷成長的需求。雙方之後也將繼續投入在新加坡的研發工作，鞏固其研究、創新、企業等多領域的地位。 意法日前與A*STAR共同投入碳化矽在新加坡的研發工作 現今在電動車與工業應用中的電力電子裝置主要採用矽基元件，但因碳化矽等寬能隙材料相較傳統矽基元件擁有較好的功率轉換效率，因此業界也正逐步投入碳化矽的研發，進一步滿足市場針對更小的外型尺寸、更高功率輸出，以及更高操作溫度的功率元件模組需求。而在本次合作中，A*STAR的IME研究所與意法則致力於開發及改良碳化矽整合元件及封裝模組，以提供下一代電力裝置較良好的性能表現。 意法半導體汽車與離散元件產品部副總裁暨功率電晶體事業部總經理Edoardo...

環保意識抬頭及通訊科技不斷演進，汽車產業朝向四大核心CASE發展，車聯網(Connected Vehicle)、自動駕駛技術(Autonomous)、共享(Shared)與電動車(Electrified...

功率放大器(PA)供應商Qorvo宣布，該公司將收購美國碳化矽(SiC)功率半導體製造商United Silicon Carbide(UnitedSiC)。藉由這件購併案，Qorvo將可把業務觸角延伸到快速成長的電動車(EV)、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場。UnitedSiC的產品線將成為Qorvo基礎設施和國防產品(IDP)業務之一，並由UnitedSiC的總裁兼執行長Chris...

意法半導體(ST)新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN...

為解決全球性的晶片短缺問題，雖然博世(Bosch)在德勒斯登(Dresden)的新晶圓廠才剛啟用不久，但該公司已宣布，將於2022年再投入4億歐元，擴建其位於德國德勒斯登(Dresden)、羅伊特林根(Reutlingen)的晶圓廠，以及馬來西亞檳城(Penang)的晶片測試中心。 博世集團執行長鄧納爾(Volkmar...

近期蘋果(Apple)發表了用於MacBook Pro的全新140W USB-C電源適配器，並首次採用了基於氮化鎵(GaN)的技術，顯示出百瓦級大功率快充產品進入成長期，加速第三代半導體消費應用的發展擴張。根據TrendForce研究指出，在GaN功率電晶體價格不斷下降(目前已逼近約1美元)，以及技術方案愈趨成熟的態勢下，預估至2025年GaN在整體快充領域的市場滲透率將達到52%。 TrendForce進一步表示，從目前快充市場功率規格來看，2020年GaN快充市場以55~65W為主流功率段，約占GaN元件銷售市占率72%，其中又以65W為主流。而百瓦級大功率產品，2020年市占率僅約8%，但市場前景備受期待，越來越多廠商陸續推出大功率快充產品，以應對消費者日益增加的用電需求，目前最高功率已達140W。 其中，在百瓦級大功率快充產品領域內，GaN技術市場滲透率已高達62%，主要由納微半導體(Navitas)與英諾賽科供應，其中納微半導體銷售市占率超7成，已成功應用於倍思、聯想、閃極等廠商旗下產品。另外，為了增加使用效率及縮減體積，PFC+LLC拓撲結構已成為百瓦級大功率快充主流方案，由SiC二極體搭配GaN開關管，以提高功率因素校正(PFC)級開關頻率，進而使得GaN與碳化矽(SiC)寬能隙半導體組合方案迅速被各大廠商採納。 倍思已於2020年推出全球首款120W充電器產品，裡面採用了納微提供的GaN及APS供應的SiC，取得市場巨大反饋，泰科天潤、美浦森、安森美等SiC元件廠也陸續達成在Power...

正海集團與ROHM簽署合資協定共同成立一間功率模組事業的新公司，為上海海姆希科半導體，計畫於2021年12月在中國成立，出資比例為正海集團旗下的正海半導體佔80%，ROHM佔20%。 新公司將致力於發...

在5G、電動車應用的催化下，化合物半導體當前半導體產業內最常被提起的話題。從光電應用起家的化合物半導體，或將成為一股為世界帶來更多重大改變的新力量。