在電動車市場蓬勃發展之際，化合物半導體氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)成為應用關鍵。目前特斯拉導入SiC，更確立了採用化合物半導體是電動車產業不可逆的趨勢。SiC與GaN 都適用於高頻、高壓的情境，有助於實現電動車充電器快充，緩解車主的里程焦慮。目前GaN尚有技術挑戰待克服，也能拓展儲能與微型電動車等商機。 GaN強化電動車充電效能 工研院電光系統所微型光電元件與系統應用組組長方彥翔指出，化合物半導體受到市場高度關注，尤其GaN具有高度優勢。GaN及SiC在未來的應用，基本上著重高速、高壓及高頻需求。包含5G、6G、車用通訊、顯示器、電動車，都需要仰賴化合物半導體的特性。氮化鎵晶圓或碳化矽MOSFET在電動車的應用非常成功，有助於實現快速充電。氮化鎵可操作的頻率比碳化矽更高，其具備的高頻切換特性，因此在500kHz~1MHz的高頻應用下，可實現輕量化、低損耗、高效率與高功率密度的目標。 全球電動車產值最大的車廠是特斯拉(Tesla)，方彥翔表示，因此特斯拉導入碳化矽，帶動產業應用化合物半導體。同時全球各國即將禁售燃油車的禁令，也帶動電動車的發展。目前業界預估在2030年，電動車的占比將成長十倍，屆時勢必要透過採用化合物半導體，來強化車載充電器(OBC)的效能。目前新能源車的痛點之一，就是充電慢。採用化合物半導體的高電壓OBC，除了充電速度倍增，也能降低成本並減少體積。 為了協助產業轉型，工研院建立光電暨化合物半導體實驗室。工研院不只做磊晶，也透過平台執行基板驗證，建立基板驗證的標準。GaN...