ROHM EcoGaN獲台達45W輸出AC適配器採用

羅姆(ROHM)宣布,該公司推出的650V GaN元件(EcoGaN)被台灣台達電子(Delta Electronics)的45W輸出AC適配器Innergie C4 Duo採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM...
2024 年 03 月 04 日

功率需求持續高漲 先進電源設計攻克應用挑戰(1)

隨著應用發展,對於電源的要求也更加嚴苛,業者在進行產品設計時,需要確保精準控制並降低雜訊,以滿足高階應用需求。與此同時,氮化鎵(GaN)應用市場前景可期,相關電源產品設計也需要考量應用需求,選用合適方案。 人工智慧(AI)等先進應用為電源設計帶來新的挑戰,除了運用數位電源精準控制以提升效率,PCIe、SATA和DDR等高速電路的發展也為電源供電帶來更加嚴格的要求,在產品設計時須針對電源完整性進行量測,以避免電源對訊號造成雜訊干擾。 此外,消費性電子及電動車等應用的快充需求持續成長,也帶動第三類半導體功率元件的採用。其中,氮化鎵(GaN)的開關損失比碳化矽(SiC)更低,可實現更高的能源效率,將迎來市場爆發期,極具發展潛力。為了搶進GaN龐大商機,針對應用的功率需求選擇適合的設計方案至關重要。 數位電源大行其道 HRTIM助MCU提升精度 電源產品設計逐步從類比轉向數位電源,對於攸關產品電源控制精準程度的微控制器(MCU)的需求隨之增加。意法半導體(ST)專案經理詹儒聰(圖1)表示,通訊能力也是電源由類比轉向數位的重要因素。 圖1 意法半導體專案經理詹儒聰表示,通訊能力也是電源由類比轉向數位的重要因素 以典型的AC-DC轉換器為例,電源電壓透過兩部分架構轉換為所需的輸出電壓:在初級側以輸入濾波器來降低EMI,並具有一個受控或非控制整流器,同時以功率因數校正器(PFC)調節直流匯流排電壓(Bus...
2024 年 02 月 27 日

功率需求持續高漲 先進電源設計攻克應用挑戰(2)

隨著應用發展,對於電源的要求也更加嚴苛,業者在進行產品設計時,需要確保精準控制並降低雜訊,以滿足高階應用需求。與此同時,氮化鎵(GaN)應用市場前景可期,相關電源產品設計也需要考量應用需求,選用合適方案。 GaN快充市場即將引爆 (承前文)既有電源設計受到高速電路等先進應用影響,需要考量額外因素,而近年來創新電源方案的誕生,也打開電源設計新市場。相較於傳統矽(Si)或碳化矽(SiC)方案,氮化鎵(GaN)在能源效率、操作頻率和功率密度方面皆略勝一籌,儘管因為成本和穩定性等因素而遭遇挑戰,採用GaN快充市場仍預期將在接下來幾年快速成長。 英飛凌電源與感測系統事業部資深協理陳清源(圖4)表示,根據產研機構Yole...
2024 年 02 月 27 日

英飛凌出售菲律賓/南韓後段廠予日月光

英飛凌(Infineon)和日月光共同宣布,雙方已簽署最終協議,英飛凌將出售位於菲律賓甲米地和韓國天安的兩個後段製造工廠予日月光的兩個全資子公司。這兩座目前分別由Infineon Technologies...
2024 年 02 月 23 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(1)

碳化矽是一種寬能隙的材料,因此與矽類的元件相比,它可以承受更高的電壓後才崩潰,以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特,且同時能夠在小...
2023 年 08 月 16 日

碳化矽肖特基熱性能表現佳(2)

碳化矽是一種寬能隙的材料,因此與矽類的元件相比,它可以承受更高的電壓後才崩潰,以及在高溫下承受更高的電壓。碳化矽與生俱來的更高能力使碳化矽肖特基二極體的反向擊穿電壓遠高於1,200伏特,且同時能夠在小...
2023 年 08 月 16 日

羅姆/Vitesco簽署SiC功率元件長期供貨合作協定

羅姆(ROHM)於2023年6月19日與緯湃科技(Vitesco Technologies)簽署了碳化矽(SiC)功率元件的長期供貨合作協定。根據該合作協定,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1,300億日幣。 之所以能達成此次合作,是因為雙方於2020年建立了「電動車電力電子技術開發合作夥伴關係」,依此開啟密切的技術合作,除了適用於電動車的SiC功率元件,更展開了採用SiC晶片的逆變器產品開發。 作為雙方聯合開發的第一個成果,Vitesco計畫最早將從2024年起供應採用羅姆SiC晶片的先進逆變器,目前該種逆變器已被二家大型電動車製造商的產品採用,提前實現了當初設定的目標。 在電動車逆變器的開發中,SiC功率元件是非常重要的組成部分,有助實現更高效的電力電子設計。其中SiC晶片對於電動車而言是尤為重要的關鍵技術,是因為電動車需要支援高電壓,並透過有效利用電能來延長續航里程、縮減電池尺寸。 透過此次建立的長期供貨合作夥伴關係,Vitesco將能夠確保對電動車開發具有戰略意義且非常重要的SiC晶片的產能。未來,雙方將繼續深化合作,透過SiC助力電動車進一步提高效率並實現更快的充電速度。 Vitesco...
2023 年 06 月 21 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日

瑞薩推出新款車用智慧型功率元件

瑞薩電子(Renesas)宣布推出新款車用智慧型功率元件(IPD),為車內電源配置提供安全靈活的解決方案,以滿足新一代E/E(電氣/電子)架構的要求。新的RAJ2810024H12HPD採用小型TO-...
2023 年 02 月 04 日

化解GaN功率元件可靠度疑慮 Transform發表最新評估報告

氮化鎵功率元件供應商Transphorm近日發表了針對其氮化鎵元件的最新可靠性評估資料。其失效率(FIT)評估是以客戶現場應用中失效的元件數為基礎。迄今為止,基於超過850億小時的現場應用資料,該公司全系列產品的平均失效率(FIT)小於0.1。對電源應用開發者而言,氮化鎵元件的可靠度一直是其評估是否導入時,最大的疑慮之一。Transphorm這次評估的結果,是業界報導過的最好的評估結果之一。 Transphorm表示,在構建其氮化鎵平台時,特別注意電源應用對可靠性的要求,也了解寬能隙技術進入市場時,可靠性的重要。儘管氮化鎵比矽的性能更高,但如果元件在實際應用中失效,客戶將不會選擇氮化鎵產品。2019年,Transphorm成為首家發布用於證實其產品可靠性的完整驗證資料的氮化鎵製造商。此後,該公司定期分享其氮化鎵器件可靠性成果,以説明潛在客戶在選擇半導體供應商時,能根據資料做出正確的判斷。Transphorm...
2022 年 12 月 19 日

Transphorm深圳辦事處擴大GaN應用實驗室

Transphorm宣布在中國深圳開設新的辦事處。作為一家外商獨資企業(WFOE),Transphorm的深圳辦事處將負責加強當地客戶支援、銷售和市場行銷工作,另外,該辦事處將作為當地支援客戶開發氮化鎵(GaN)電源系統的應用實驗室,並同時支援全球研發工作。深圳辦事處將由Transphorm現任亞洲銷售副總裁Kenny...
2022 年 12 月 08 日

基本半導體與羅姆簽訂戰略合作協定

日前,基本半導體與羅姆(ROHM)在位於日本京都的羅姆總部簽訂車用碳化矽(SiC)功率元件之戰略合作夥伴協定。 此次簽約,雙方將充分發揮各自的產業優勢,就碳化矽功率元件的創新升級、性能提升等方面展開深...
2022 年 11 月 24 日