液空集團(Air Liquide)位於台中的全新先進材料廠房於25日舉行落成儀式。這也是該集團在台灣第一座專門生產半導體產業深耕已久，目前已擁有54座專門服務半導體客戶的設施；而本次落成的廠房，是該集團在台灣首座大規模生產先進沉積與蝕刻材料的基地。這些材料對於推動人工智慧(AI)與高效能運算(HPC)的次世代晶片十分關鍵。 液空集團執行委員會成員暨電子事業線負責人Armelle...

宜特宣布正式啟動次2奈米世代原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)新材料選材與驗證服務，進一步延伸至化學材料端的選材、鍍膜測試與品質確認。此舉使宜特不僅扮演晶片驗證夥伴，更成為材料廠商開發新配方的關鍵加速器。 宜特觀察發現，晶圓代工大廠、IDM廠在今年下半年，陸續在2奈米、18A進入量產，均屬立體電晶體架構，對ALD設備與新材料需求大幅擴張。如何在複雜3D結構中均勻鍍膜，是最困難的一環。傳統化學氣相沉積(CVD)與物理氣相沉積(PVD)在3D結構上均有限制。以PVD為例，透過蒸鍍或濺鍍方式，往往無法覆蓋內部深層區域；CVD則因氣體反應速率過快，容易導致薄膜厚度不均。 相較之下，ALD技術以「原子層逐層沉積」可精準控制膜厚，及其生成的薄膜具高均勻度及覆蓋性優異，被視為2奈米後之先進製程不可或缺的關鍵技術。但ALD沉積速度慢、參數複雜，及其新材料反應條件的掌握尤為嚴苛。宜特推進ALD新材料驗證平台，可協助材料商在開發階段完成鍍膜實驗，快速評估新材料薄膜的品質與一致性，縮短客戶開發週期。 目前業界ALD於製程段可用於製造高介電薄膜及相關先進電晶體(例如GAA/CFET)；而另外將ALD應用於試片製備時的保護層以避免樣品損傷，這已是在TEM分析上的常規作法。然而，宜特的ALD能力並不僅止於此，而是進一步串接「材料選擇...

Lam Research科林研發推出ALTUS Halo─這是全球首款利用金屬鉬的特性來生產先進半導體的原子層沉積(ALD)設備。藉由多項專利創新技術，ALTUS Halo可為先進半導體元件提供低電阻率金屬填充、以及無空隙鉬金屬化的高精度沉積。ALTUS...

半導體製程持續挺進個位數字奈米節點，為達成摩爾定律的微縮進度，儘管微影技術不斷有所突破，無論是透過各種手段將浸潤式微影解析度推至極限，採用波長更短、技術也日益成熟的極紫外光(EUV)光源微影以實現更高解析度，或是利用分次曝光提升線路密度的多重圖形(Multiple...

物聯網(IoT)時代來臨，半導體再升級同樣勢在必行，但如何於摩爾定律幾近失效的現狀繼續微縮製程，已成產業共同的挑戰。九月上旬，全球生醫及特用材料大廠默克(Merck)正式宣布，於高雄啟用其亞洲首座積體電路(IC)材料應用研發中心，初期投資約1億元新台幣，提供前端原子層沉積(ALD)/化學氣相沉積(CVD)之材料與製程開發、半導體封裝研發與錯誤分析等服務，以期協助在地與亞州半導體業者縮短研發時間，盡速投入IC先進製程。 根據Gartner去年發布之「2026年半導體科技報告」，5奈米製程成本將是目前16/14奈米製程的2.5~3倍，微影製程到10奈米以下已越來越難具備成本效益。有鑑於此，透過系統級封裝或3D封裝等解決方案持續微縮、降低成本，逐漸成為半導體產業趨勢，促使晶片製造/封裝相關IC材料市場向上成長。Merck資深副總裁Rico...