鎖定大陸IC設計市場 台積/格羅方德再掀28nm熱鬥

台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米製程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場,紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商機,台積電與格羅方德均積極展開擴產,並致力強化技術支援能力,以爭取大陸IC設計業者青睞。
2013 年 08 月 12 日

專訪台積電先進元件科技暨TCAD部門總監Carlos H. Diaz 台積電將全面翻新晶圓製程

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 08 月 08 日

STB/智慧電視晶片導入 28奈米第二波商機駕到

新一波28奈米(nm)製程商機來臨。隨著28奈米製程技術日益成熟,加上聯電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)產能也陸續開出,28奈米晶片設計風潮已開始由行動處理器和現場可編程閘陣列(FPGA),擴散至機上盒(STB)及智慧電視(Smart...
2013 年 07 月 29 日

縮短開發時程 晶圓廠競逐FinFET混搭製程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米製程的方式,加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米後段金屬導線製程的方式達成試量產目標;而台積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代,初版方案亦可望採用類似的混搭技術,足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 ...
2013 年 07 月 24 日

明導國際8月27日舉辦技術論壇

明導國際(Mentor Graphics)將在8月27日於新竹喜來登大飯店舉辦技術論壇大會–Mentor Forum。除分享領先的積體電路(IC)設計技術,也邀請到包括明導國際、國內外業者聯發科、台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、安謀國際(ARM)、等擔任與會講師,就技術議程分享並交流經驗。Mentor...
2013 年 07 月 18 日

搶攻FinFET設計商機 益華發布新Virtuoso平台

益華(Cadence)針對28奈米以下製程及鰭式場效電晶體(FinFET)製程發布最新版Virtuoso布局(Layout)設計套件,該套件具備電子意識設計(Electrically Aware Design,...
2013 年 07 月 16 日

打造ASIC等級FPGA 賽靈思投產20奈米方案

賽靈思(Xilinx)9日正式宣布,開始投產首款以20奈米(nm)製程製造的現場可編程閘陣列(FPGA),該產品導入全新的UltraScale可編程架構,突破布線、時脈、功耗等技術瓶頸,可讓賽靈思拓展其FPGA應用領域,並爭取到更多原本採用ASIC方案為主的客戶。 ...
2013 年 07 月 10 日

催生新世代處理器 台積電翻新晶圓製程技術

台積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能並改善電晶體漏電流問題,台積電除攜手矽智財(IP)業者,推進鰭式電晶體(FinFET)製程商用腳步外,亦計畫從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手,加速實現三維晶片(3D...
2013 年 07 月 01 日

攜手新思 聯電加入14奈米FinFET製程戰局

聯華電子正式加入14奈米(nm)鰭式場效電晶體(FinFET)製程戰局。聯電與新思科技(Synopsys)於日前宣布,兩家公司的合作已獲得初步成果;聯電採用新思科技DesignWare邏輯庫矽智財(IP)組合和Galaxy實作平台StarRC寄生參數提取工具,成功完成聯電第一個14奈米FinFET製程驗證工具設計定案。 ...
2013 年 06 月 28 日

大尺寸晶圓量產卡關 GaN-on-Si基板發展陷膠著

矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板技術發展添變數。囿於大尺寸GaN-on-Si晶圓製造良率遲遲無法提升,不少LED磊晶廠已開始考慮降低投資金額,或轉而投入技術門檻較低的功率元件應用市場,讓原本備受期待的GaN-on-Si...
2013 年 06 月 20 日

Altera宣布FPGA和SoC技術突破

Altera宣布推出第十代現場可編程閘陣列(FPGA)和系統單晶片(SoC),協助系統開發人員在性能和功率效益上實現突破。第十代元件在製程技術和架構基礎上進行最佳化,以最低功率消耗實現業界最好性能和水準最高的系統整合度。首先發佈的第十代系列包括Arria...
2013 年 06 月 14 日

先進製程布局各有盤算 GF/聯電爭搶晶圓榜眼

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES, GF)與聯電為爭奪晶圓代工市占第二寶座正競相出招。前者除積極擴產28奈米製程外,更計畫於明後年擴大資本支出,加速14、10奈米FinFET量產時程;後者則先衝刺40奈米及特殊製程服務營收,並在28奈米以下製程發展上穩紮穩打。
2013 年 06 月 10 日