超微處理器生產日益倚重台積電

據摩根士丹利(Morgan Stanley)的研究報告估計，對超微而言，台積電將成為無可取代的晶圓代工夥伴。自2021年起，除了伺服器CPU將100%交由台積電生產外，屆時90%的超微桌上型處理器、85%的筆記型電腦處理器，也都將由台積電製造。...
2020 年 07 月 09 日

格羅方德之德勒斯登晶圓廠獲頒安全產品製造認證

德國聯邦資訊安全局(BSI)已根據最新版「資訊技術安全評估共同準則」(國際共同準則ISO 15408，CC認證3.1版)，認證格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)德勒斯登廠的產品安全等級。在4月27日當天的「虛擬頒獎典禮」上，由格羅方德資深副總裁暨德勒斯登廠總經理Thomas...
2020 年 06 月 03 日

受惠旺季備貨及5G需求帶動　晶圓代工業逐漸擺脫衰退

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院統計，在業者庫存逐漸去化及旺季效應優於預期的助益下，預估第四季全球晶圓代工總產值將較第三季成長6%。市占率前三名分別為台積電(TSMC)的52.7%、三星(Samsung)的17.8%與格羅方德(GlobalFoundries)的8%。...
2019 年 12 月 16 日

中美貿易戰衝擊　2019年底晶圓代工景氣蒙陰影

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院統計，時序進入傳統電子產業旺季，市場對半導體元件需求會較上半年增加，預估第三季全球晶圓代工總產值將較第二季成長13%。市占率排名前三名分別為台積電(TSMC)...
2019 年 09 月 16 日

TrendForce：2019年Q1台積電全球晶圓代工市占率達48.1%

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新報告統計，由於包含智慧型手機在內的大部分終端市場需求疲乏，導致先進製程發展驅動力道下滑，晶圓代工業者於2019年第一季面臨相當嚴峻的挑戰，預估第一季全球晶圓代工總產值將較2018年同期衰退約16%，達146.2億美元。市占率排名前三名分別為台積電、三星與格羅方德，而儘管台積電市占率達48.1%，但第一季營收年成長率衰退近18%。...
2019 年 03 月 25 日

FPGA商業模式新突破　QuickLogic推出IP授權方案

傳統上，現場可編程閘陣列(FPGA)業者是以銷售晶片與功能電路的矽智財(IP)作為主要營收來源，但快輯(QuickLogic)近日宣布，其專利的超低功耗可編程邏輯技術也將以矽智財的型式授權給其他晶片業者使用，此舉可望造福眾多系統單晶片(SoC)設計公司，讓晶片設計公司開發出更具彈性的SoC。...
2016 年 12 月 07 日

成立研發/製造中心　中芯國際競逐3D IC戰場

在台積電、聯電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)競相投入三維積體電路(3D IC)技術後，中國大陸晶圓代工廠中芯國際(SMIC)亦不落人後，21日宣布將成立視覺、感測器、3D IC技術研發/製造中心–CVS3D，與一線晶圓代工廠一較高下。 ...
2013 年 10 月 23 日

FinFET引爆投資熱　半導體業啟動新一輪競賽

半導體業界已發展出運用FinFET的半導體製造技術，對製程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產生極大變化。特別是IDM業者與晶圓代工廠正競相加碼研發以FinFET生產應用處理器的技術，促使市場競爭態勢急速升溫。
2013 年 09 月 14 日

確保與IBM合作有成　聯電緊握14/10nm主導權

聯電近期與IBM簽訂合作計畫，全力衝刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)製程量產。不過，聯電也不忘記取當初發展0.13微米時，授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行，反遭台積電大幅超前進度的教訓；此次在14/10奈米的合作僅將採用IBM基礎技術平台與材料科技，並將主導大部分製程研發，以結合先進科技和具成本效益的量產技術，避免重蹈覆轍。 ...
2013 年 08 月 13 日

鎖定大陸IC設計市場　台積/格羅方德再掀28nm熱鬥

台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)的28奈米製程戰火將擴大延燒。中國大陸IC設計業者為搶進行動裝置市場，紛紛投入28奈米晶片開發。瞄準此一商機，台積電與格羅方德均積極展開擴產，並致力強化技術支援能力，以爭取大陸IC設計業者青睞。
2013 年 08 月 12 日

STB/智慧電視晶片導入　28奈米第二波商機駕到

新一波28奈米(nm)製程商機來臨。隨著28奈米製程技術日益成熟，加上聯電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)產能也陸續開出，28奈米晶片設計風潮已開始由行動處理器和現場可編程閘陣列(FPGA)，擴散至機上盒(STB)及智慧電視(Smart...
2013 年 07 月 29 日

縮短開發時程　晶圓廠競逐FinFET混搭製程

一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米製程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產腳步。包括IBM授權技術陣營中的聯電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預計在2014年以14奈米FinFET前段閘極結合20奈米後段金屬導線製程的方式達成試量產目標；而台積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望採用類似的混搭技術，足見此設計方式已成為晶圓廠進入FinFET世代的共通策略。 ...
2013 年 07 月 24 日
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