imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑

比利時微電子研究中心(imec)在2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議上,發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展,分別是間距為20奈米的導線圖形,包含與鑲嵌金屬化製程相關的13奈米圖形端到端(T2T)關鍵尺寸(CD),以及在20奈米間距下,利用直接金屬蝕刻(Direct...
2025 年 09 月 30 日

EUV/Holistic雙箭齊發 ASML再創微影新局

在相關供應鏈業者通力合作下,市場期盼多年的EUV微影系統終於粉墨登場,預料將為半導體業者在32奈米以下技術節點的發展增添助力。與此同時,在各個製程步驟中融入微影考量以提升晶片微縮良率的Holistic微影新思維,也逐漸受到市場重視。
2009 年 11 月 16 日