功率/射頻應用爆發　氮化鎵技術左右逢源

功率和射頻氮化鎵(GaN)元件市場預計將持續增長，到2029年分別超過24.5億美元和19億美元。2023~2029年間的複合成長率(CAGR)分別為46%和10%。 所有功率GaN應用市場都將持續增長，其中消費性應用領域在未來五年內將占主導地位。...
2024 年 06 月 17 日

安格科技總經理藍世旻：揪團打群架布局AI電源管理

AI時代來臨，其所帶動的需求是未來產業發展的亮點，因此布局AI成為科技產業的重點。過去以高速介面控制晶片為核心業務的安格科技(Algoltek)，在成為神盾聯盟一員之後，積極融入集團戰略，2020年開始投入高功率電源管理技術，希望能抓住AI發展的契機，以氮化鎵(GaN)電源管理控制晶片為轉型方向。...
2024 年 04 月 08 日

AI伺服器帶動中電壓應用需求　TI推出GaN解決方案

生成式AI大行其道，AI伺服器的耗電量也開始受到嚴格檢視。對伺服器電源系統而言，如何提高能源轉換效率與功率密度，一直都是最主要的設計挑戰，但傳統矽MOSFET已經很難再有顯著突破。為協助伺服器電源系統開發者進一步提高功率密度與轉換效率，德州儀器(TI)近日發表新款基於氮化鎵(GaN)技術，而且鎖定的是其他GaN供應商較少著墨的中電壓(100V)應用。...
2024 年 03 月 22 日

英飛凌GaN賦能歐姆龍社會解決方案實現輕巧V2X充電系統

英飛凌(Infineon)宣布與歐姆龍社會解決方案公司合作，結合英飛凌的氮化鎵(GaN)功率解決方案與歐姆龍的創新電路拓樸和控制技術，賦能歐姆龍社會解決方案實現了一款車聯網(V2X)充電系統，這是日本外型尺寸最小，同時重量也最輕巧的系統之一。這項合作將進一步推動寬能隙材料在電源供應領域的創新，有助於加速向再生能源、更智慧的電網以及電動車的轉型，並促進低碳化和數位化的進程。...
2024 年 02 月 07 日

英飛凌/安克成立創新應用中心攜手開發PD快充方案

英飛凌(Infineon)近日宣布其與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面投入營運之後，將開發能夠更高能效，減少碳排放的充電解決方案，推動低碳化進程。...
2024 年 01 月 30 日

Transphorm發布兩款4引腳TO-247封裝SuperGaN元件

Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。...
2024 年 01 月 22 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(1)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(2)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

常關需求引發路線之爭　D-mode GaN不容低估(3)

氮化鎵功率半導體元件毫無疑問是目前電力電子領域中非常火熱的一個話題。當今占主導有兩種電晶體類型：常關(Normally-off)耗盡型(D-mode)和常關增強型(E-mode)氮化鎵電晶體。當人們面臨選擇時，有時會難以言明地傾向于使用E-mode電晶體。而事實上，常關D-mode在性能、可靠性、多樣性、可製造性以及實際用途方面，都是本質上更優越的平台。這之中的原因在於常關D-mode能充分利用氮化鎵本身優勢。...
2023 年 10 月 31 日

Transphorm新白皮書比較常閉D-Mode/E-Mode氮化鎵電晶體

Transphorm發布了題為「Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢」的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵(常閉)d-mode氮化鎵平台固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平台為實現常閉型解決方案，從根本上(實體層面)削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。...
2023 年 10 月 24 日

GaN Systems推出第四代氮化鎵平台

GaN Systems近日推出其第四代氮化鎵平台(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優化及業界領先的品質因數(Figures of...
2023 年 10 月 02 日

Transphorm氮化鎵元件實現5微秒短路耐受時間

Transphorm宣布利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了5微秒的短路耐受時間(SCWT)。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，證明Transphorm的氮化鎵元件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由矽IGBT或碳化矽(SiC)MOSFET提供支援的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力。氮化鎵在這類應用領域未來五年的潛在市場規模(TAM)超過30億美元。...
2023 年 08 月 28 日
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