東芝發表第二代碳化矽蕭特基位障二極體

東芝半導體與儲存產品公司,近期發表第二代650V碳化矽(SiC)蕭特基位障二極體(SBDs),該產品提升了公司現行產品的湧浪順向電流(IFSM)約70%。8個碳化矽蕭特基位障二極體的新產品線也即將出貨。 此款碳化矽蕭特基位障二極體,採用東芝第二代碳化矽的製程製造,相較第一代產品,提升了70%的湧浪順向電流,且同時降低切換損失的RON*Qc指數約30%,使其適合用於高效率的功率因素修正方案。 新產品有4A、...
2017 年 02 月 25 日