瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產能翻三倍
半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產。繼28和20奈米(nm)之後，2015年晶圓代工廠紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁，因而帶動漢微科提早展開布局，將於2013～2014年投入新台幣10億元擴建新廠房，並於2014下半年正式投產，挹注三倍設備產能。
漢微科財務長李學寒表示，自2012年開始，晶圓代工業者已逐步在28奈米先進製程中導入高階電子束晶圓缺陷檢測設備，以克服電晶體密度大幅微縮後，傳統光學檢測方案不敷應用的問題。隨著一線晶圓代工廠爭相在2013年推出20奈米製程，並接續於2014～2015年往下跨入16或14奈米世代，電子束檢測設備需求更將顯著上揚，預估今年產值將上看2億美元，並於2014年飆升至3億美元。
因應市場強勁需求，漢微科行銷副總經理胡瑞卿強調，該公司已計畫今明2年各投資新台幣5億元於南科闢建新的無塵室與設備產線，預估2014年下半年即可完工並隨即加入量產行列，有助旗下電子束檢測設備年產能三級跳，從現有的五十台躍升至一百五十台水準，全面滿足晶圓廠部署20奈米以下製程的需求。
據悉，今年上半年漢微科已陸續接獲20奈米晶圓的電子束檢測設備訂單；同時也與主要晶圓廠攜手展開1x奈米FinFET晶圓檢測技術合作，可望於2014年開花結果，挹注另一波電子束檢測設備出貨成長動能。
李學寒透露，晶圓廠正馬不停蹄備戰先進奈米製程，刺激半導體檢測技術加快演進步伐，且相關設備需求也將逐年高漲。因此，漢微科將於今年底發表新一代eScan...
2013 年 08 月 02 日
