盛美半導體設備今日宣布對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。 升級後的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣(N2)鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了化學藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中品質傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D...

半導體濕式清洗設備供應商盛美宣布，世界首台槽式與單片清洗整合設備Ultra C Tahoe現已在某大型半導體業者的生產線上投入使用。 Ultra C Tahoe清洗設備可應用於光阻劑去除，刻蝕後清洗，離子注入後清洗，CMP後清洗等製程，具有清洗製程效果提升，縮減化學藥液成本，並顯著降低硫酸廢液排放量等優勢。 由於全球對環境問題日益關注，政府部門對半導體工業產生的廢液排放進一步加強監管和限制，因此迫切需要一款既能降低化學藥液用量，又不犧牲清洗製程效果的清洗設備。目前業內對半導體工業排放的廢硫酸的處理方法欠佳，仍有部分地區(如美國)使用掩埋式處理，但此方法很有可能會給環境帶來的風險。在部分土地資源受限的地區，如韓國，台灣，上海等，因為人口密集的緣故，不宜使用掩埋處理，只好採用高溫純化處理方法。然而，高溫純化處理也面臨著能源耗費以及溫室氣體排放等一系列問題。 盛美半導體設備執行長王暉指出，硫酸廢液處理是先進積體電路製造中的重要挑戰。例如在台灣，半導體工廠佔用了台灣硫酸總使用量的一半以上。單憑槽式清洗，無法滿足28nm及以下技術節點的製程要求，因此，清洗技術逐漸從槽式清洗轉變為單片清洗，由此提高清洗製程效果。然而，這一轉變卻大大地提高了硫酸使用量，硫酸廢液的處理亦引發了一系列安全問題、能耗問題以及環境問題。盛美半導體設備開發了獨具自主知識產權的Tahoe設備，其優秀的清洗效果與靈活的製程適用性，可與單片晶圓清洗設備相媲美，滿足客戶的期望，與此同時，其硫酸的消耗量卻僅為單片晶圓清洗設備的數分之一。我們認為它一舉兩得，既使半導體工業技術路線得以繼續向下延伸，又兼顧環保問題，節省了在廢液處理上的巨大開支。 Ultra...