盛美半導體設備升級Ultra C wb濕法清洗設備以滿足先進節點需求
盛美半導體設備今日宣布對其Ultra C wb濕法清洗設備進行了重大升級。此次全新升級旨在滿足先進節點製造工藝的苛刻技術要求。 升級後的Ultra C wb採用了專利申請中的氮氣(N2)鼓泡技術，有效解決了濕法刻蝕均勻性差和副產物二次沉積問題。在先進節點製造工藝中，這些問題常見於高深寬比溝槽和通孔結構的傳統濕法清洗工藝。氮氣鼓泡技術不但提升了化學藥液傳輸效率，而且提高了濕法刻蝕槽內溫度、濃度和流速的均勻性。濕法刻蝕過程中品質傳遞效率的提高可防止副產物在晶圓微結構內積聚，從而避免二次沉積。這項技術在500層以上的3D...
2025 年 07 月 31 日
