碇基半導體總經理邢泰剛:AI需求的興起,為氮化鎵電源產業創造出新的藍海。

碇基半導體總經理邢泰剛:AI電源是氮化鎵的新藍海

隨著AI運算、高效能伺服器與電氣化浪潮持續推升能源效率需求,功率半導體正站在新一波材料世代交替的關鍵節點。其中,具備高操作頻率與低損耗特性的氮化鎵(GaN),被視為電源技術邁向高效率與小型化的重要解方,也吸引大量新創公司與國際大廠積極投入。然而,在資本大量湧入的同時,市場競爭也日益激烈,產業整併與價格戰的陰影始終揮之不去。...
2026 年 01 月 21 日

應用障礙逐步掃除 WBG元件普及大步向前(2)

寬能隙元件能為電源、逆變器等功率應用帶來極大的效益,但在設計導入方面也有相當的門檻存在。因此,如何降低設計導入的門檻,成為供應商必須面對的課題。 GaN驅動難題有解 台達實現百瓦功率密度 同樣屬於寬能隙半導體的氮化鎵功率元件,也跟碳化矽元件一樣,能協助電源開發者實現更高的電源密度。然而,氮化鎵元件的驅動與控制方式與矽元件大相逕庭,因此在高功率應用的設計開發上,有比較多技術議題需要克服。...
2023 年 07 月 03 日

ROHM開始量產650V耐壓GaN HEMT

羅姆(ROHM)已開始650V耐壓氮化鎵(GaN)HEMT「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產,該二款產品非常適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。 據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的課題。而功率元件則是提高電源效率的關鍵,碳化矽(SiC)和GaN等新世代半導體材料在進一步提升電源效率方面被寄予厚望。2022年ROHM將閘極耐壓高達8V的150V耐壓GaN...
2023 年 05 月 22 日