英飛凌與NVIDIA合作推出800V AI資料中心高壓直流電源架構

英飛凌與NVIDIA合作,打造業界首創AI資料中心800 V電源供應架構。新的高壓直流(HVDC)供電技術,確保未來AI伺服器機櫃的電源供應更加可靠和高效。英飛凌的目標旨在為AI資料中心立下新的電源供應標準。...
2025 年 05 月 21 日

筑波科技舉辦化合物半導體檢測技術與自動化論壇 探討電動車與5G應用趨勢

化合物半導體材料如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)為車用半導體與電源管理IC領域的核心技術,應用於電動車、儲能系統、資料中心、5G與航太等領域,帶動高溫、高壓、大電流、高速與高頻測試、封裝與製程自動化技術全面升級。筑波科技攜手全球自動化測試品牌美商Teradyne、國立陽明交通大學,於4月30日舉辦「化合物半導體檢測技術與自動化論壇」,匯聚產學研界專家,共探應用趨勢、治具與自動化解決方案。...
2025 年 05 月 07 日

碳矽電子創辦人李坤彥:紅鏈威脅是台灣SiC產業的危與機

在電動車的帶動下,原本只有少數測試儀器跟大型電力電子設備會用到的碳化矽(SiC)元件,成為市場矚目的焦點。然成也蕭何、敗也蕭何,在中國低價電動車席捲市場,加上中國政府大力補貼自家碳化矽晶片產業的情況下,目前碳化矽晶片產業的競爭非常激烈,特別是鎖定電動車相關應用的碳化矽晶片方案。...
2025 年 05 月 02 日

安森美推出首款1200V碳化矽MOSFET智慧功率模組EliteSiC SPM 31

安森美推出其第一代基於1200V碳化矽(SiC)金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的SPM 31智慧功率模組(IPM)系列。與使用第7代場截止(FS7) IGBT技術相比,EliteSiC SPM...
2025 年 03 月 18 日

意法半導體2025年半導體產業八大趨勢預測

鑒於過去數十年科技變革的速度,讓趨勢預測看似一項充滿變數的挑戰。然而,意法半導體認為擁有前瞻視野仍然至關重要。因此,以下是意法半導體對未來一年乃至更長時間內,可能持續影響並重塑產業發展的關鍵趨勢預測。...
2025 年 03 月 14 日

SiC固態電池斷路器設計有眉角 中高電壓功率元件效能再升(1)

與傳統機械斷路器相比,固態斷路器具有系統級優勢,關鍵在於碳化矽和功率半導體封裝的優勢。本文討論了關於固態電池斷路器中高電壓功率元件的選擇和設計的關鍵。 得益於固態電路保護,直流母線電壓為400V或以上的電氣系統,由單相或三相電網電源或儲能系統(ESS)供電,可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷路器時,需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、元件類型、熱封裝、元件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。...
2025 年 02 月 19 日

SiC固態電池斷路器設計有眉角 中高電壓功率元件效能再升(2)

與傳統機械斷路器相比,固態斷路器具有系統級優勢,關鍵在於碳化矽和功率半導體封裝的優勢。本文討論了關於固態電池斷路器中高電壓功率元件的選擇和設計的關鍵。 熱封裝 (承前文)SiC功率模組可實現更高等級的系統優化,這很難透過並聯分立MOSFET來實現。廠商如Microchip的mSiC模組具有多種配置以及電壓和電流額定值。其中包括共源配置,該配置以反串聯的方式連接兩個SiC...
2025 年 02 月 19 日

英飛凌推進8吋碳化矽晶圓量產 首批產品即將交貨

英飛凌(Infineon)近日在8吋碳化矽(SiC)量產方面取得重大進展。該公司將於2025年第一季向客戶供貨首批採用先進8吋SiC晶圓製程的產品。這些產品在位於奧地利菲拉赫的生產基地製造,將為高壓應用領域,包括再生能源系統、軌道運輸和電動車等,提供業界領先的SiC電源技術。此外,英飛凌位於馬來西亞居林的生產基地正在從6吋晶圓向更大、更高效的8吋晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。...
2025 年 02 月 18 日

子公司積亞/冠亞分進合擊 台亞WBG生力軍雙龍搶珠

AI資料中心、電動車等應用需求的快速發展下,寬能隙半導體為功率元件帶來更高的功率密度與能源轉換效率,有望協助產業在大量的能源需求下,兼顧永續發展目標。其中,碳化矽(SiC)適合用於高功率應用,氮化鎵(GaN)則可以專攻小功率、裝置輕巧且功率密度高的產品。...
2025 年 02 月 17 日

碳化矽成本優勢浮現 即思創意站穩WBG利基市場

隨著AI應用快速成長,包含AI伺服器、AI PC需要能源效率更高的元件,來支援耗能的運算需求。另一方面,碳化矽元件價格下跌,市場發展出現重要轉折。即思創意執行長顏誠廷指出,由於中國碳化矽供應商大量擴產,碳化矽材料從2023年到2024年價格幾乎腰斬。6吋晶圓價格已從過去每片超過1,000美元,降至接近百元美金水準。價格大幅下滑主因,是中國掌握材料自主,投入大量產能,導致碳化矽產業競爭加劇。相較之下,台灣目前投入碳化矽元件設計的廠商不多,同時台灣的碳化矽在產品定位上,更重視效能與品質。...
2025 年 02 月 17 日

4Q'24碳化矽專利數量增逾900項 重要創新持續出現

技術情報與智慧財產(IP)策略顧問公司KnowMade表示,在2024年第四季,其SiC專利監測報告(SiC Patent Monitor)顯示出強勁的增長,新增超過900個專利家族,並有400件新授權專利。在此期間,有超過100件專利到期或被放棄,並涉及7起重要的專利轉讓。...
2025 年 02 月 12 日

台寬能隙半導體供應鏈成型 碳化矽/氮化鎵雙軌發展

寬能隙半導體市場正歷經重要轉折,碳化矽(SiC)受到中國大量擴產,6吋晶圓價格幾乎腰斬,為產業帶來新的機會與挑戰。碳化矽降價讓更多中、低階產品有機會採用,擴大碳化矽的應用範圍。但是碳化矽降價也讓台廠,面臨如何尋找獨特市場地位的挑戰,避免陷入低價競爭。而氮化鎵(GaN)受惠於全球主要IDM廠商的8吋、12吋產能陸續開出,成本降低,應用領域持續增加。...
2025 年 02 月 04 日