圖1 從左至右分別為:透明線條(曝光)、暗線條(未曝光)、透明孔洞、暗柱,顯示EUV製程中跨特徵與節距的量測誤差,凸顯線性度校正需求。

克服曲線光罩設計挑戰 像素級曝光校正效果卓越

在近期舉辦的SPIE Photomask Japan 2025會議上,筆者與其他人共同發表了一篇標題為《全光罩曲線即時線性修正:包含可變偏差與零週轉時間》(Full Reticle Curvilinear...
2025 年 11 月 05 日

HBM4決戰:三星技術突圍 美光戰略失誤恐重塑記憶體版圖

當NVIDIA將HBM4規格要求從9Gb/s一舉提升至10+ Gb/s時,全球記憶體產業的技術實力高下立判。這不僅是一場技術競賽,更是決定未來AI晶片供應鏈格局的關鍵戰役。SK海力士憑藉技術領先穩坐龍頭,三星展現驚人的追趕能力,而美光卻因戰略失誤面臨出局危機。2025年,記憶體產業即將迎來一場深刻的格局重塑。...
2025 年 09 月 22 日

美光176層QLC NAND應用2400 PCIe Gen4 SSD

美光科技宣布176層QLC NAND SSD,該產品採用NAND架構打造,可為廣泛的數據密集應用提供儲存容量。美光NAND技術專為跨客戶端與資料中心環境的應用設計,而導入該技術所推出的全新美光2400...
2022 年 01 月 25 日