英飛凌推出免費VDE認證程式庫

英飛凌(Infineon)宣布針對XMC1000和XMC4000系列工業用32位元微控制器(MCU),推出免費且通過德國電機電子資訊協會(VDE)認證的IEC 60730自我測試程式庫。XMC1000和XMC4000系列加入英飛凌的Class...
2013 年 10 月 15 日

亞洲市場驅動 車用半導體加速創新

近年來亞洲汽車產業快速蓬勃,已為車用半導體發展注入強勁成長動能。各家車用半導體供應商為搶占亞洲汽車市場商機,無不加碼投入新技術研發,並不斷精進電源、控制與感測器等解決方案效能,以協助車廠打造兼顧成本與可靠度的創新車款。
2013 年 09 月 23 日

購併富士通無線 Intel進軍LTE-A火力大增

英特爾(Intel)揮軍先進長程演進計畫(LTE-A)市場。繼發布全球首款支援十五個頻段的多頻多模LTE數據機(Modem)後,英特爾日前又出手買下富士通半導體無線產品(FSWP)部門,取得強大的多頻多模LTE,以及LTE-A載波聚合(Carrier...
2013 年 08 月 15 日

鎖定GNSS手機市場 英飛凌四頻LNA出擊

英飛凌(Infineon)正全力搶攻全球導航衛星系統(GNSS)手機市場。英飛凌為搶食智慧型手機衛星定位射頻(RF)元件商機大餅,宣布推出可支援全球衛星定位系統(GPS)、GLONASS、伽利略(Galileo)與北斗衛星等四個衛星定位系統頻段的高效能低雜訊放大器(LNA)–BGA825L6S,協助手機品牌業者提升產品定位速度與精準度。 ...
2013 年 08 月 12 日

英飛凌提供SAC電子護照安全晶片

英飛凌(Infineon)為全球首款整合補充存取控制(SAC)通訊協定的電子護照供應安全晶片,SAC通訊協定可加強防護未經授權的存取及可能的個人資料濫用。這款由科索沃共和國(Republic of Kosovo)所核發的護照,包含支援Integrity...
2013 年 08 月 09 日

靠尺寸/價格殺出重圍 CMOS PA搶進低價手機

互補式金屬氧化物半導體功率放大器(CMOS PA)可望挾尺寸、成本優勢快速崛起。高通(Qualcomm)推出支援多頻多模長程演進計畫(LTE)的CMOS PA後,已引起業界對此更小型、低成本的射頻(RF)元件高度關注,尤其中低階手機製造商更將其視為升級產品通訊規格的重要途徑而擴大導入,將有助CMOS...
2013 年 07 月 29 日

歐美汽車法規趨嚴 77GHz雷達商機看俏

車用77GHz雷達商機看俏。美國國家高速公路安全管理局(NHTSA)、歐盟委員會等團體(European Commission)欲提高汽車駕駛安全標準,以減少行車意外,因此,英飛凌(Infineon)、富士通(Fujitsu)、飛思卡爾(Freescale)等半導體大廠已相繼發表77~81GHz的車用雷達,以擴大汽車安全感測範圍。 ...
2013 年 07 月 17 日

英飛凌擴展電路保護產品組合

英飛凌(Infineon)推出一系列瞬態電壓抑制器(TVS)產品,為電子系統提供靜電放電(ESD)保護。此ESD102 TVS二極體(單線路及多線路陣列)擁有低動態電阻(Rdyn=0.19Ω)和超低寄生電容(C=0.4pF),能讓工程師達成嚴格的設計需求,為最新一代智慧型手機和平板電腦使用的高速介面,提供所需的ESD耐用性及訊號品質。 ...
2013 年 06 月 17 日

瞄準高瓦數應用 LED驅動IC架構翻新

發光二極體(LED)驅動積體電路(IC)架構掀革新。LED驅動IC商已開始部署高功率LED驅動IC方案,將金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)獨立於LED驅動IC封裝外,以因應商業照明市場日益高漲的高瓦數照明需求。 ...
2013 年 05 月 23 日

能源效率掛帥 三級拓撲PV逆變器大軍壓境

太陽能(PV)三級逆變器(Three Level Inverter)設計架構正快速崛起。大多數逆變器業者已計畫在今年擴大導入三級拓撲結構,提升金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)切換頻率與導入數量,以取代傳統的二級拓撲逆變器設計,減輕能源轉換的耗損,更進一步提高1%以上電源轉換效率。 ...
2013 年 05 月 21 日

英飛凌推出CoolMOS C7

英飛凌(Infineon)推出CoolMOS C7,擴充其高電壓產品組合,推出全新650伏特(V)超接面金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)技術。新款C7產品系列可為所有標準封裝提供同級最佳RDS(on),此系列的低切換損耗也提高了全負載時的效率。C7...
2013 年 05 月 14 日

開拓新市場商機 IGBT廠轉攻低電壓應用

IGBT業者正積極搶進600伏特以下的低電壓應用。全球經濟不穩定,加上主要應用市場競爭日益激烈,使得IGBT產業近來成長趨緩。為開創成長新契機,IGBT業者遂致力研發適合低電壓應用領域的新技術與產品方案,甚至朝向12吋晶圓製造發展。
2013 年 05 月 06 日