寬能隙功率元件擁抱新藍海 GaN/SiC深化AI/高速充電應用

在AI資料中心、5G/6G、電動車與再生能源等高科技應用推動下,產業對高能效與高電壓架構的需求持續攀升,寬能隙功率半導體如碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN),正快速成為推動未來科技發展的關鍵核心。 這類元件具備高速、高耐壓、低耗能等特性,成為替代傳統矽元件的最佳設計選擇,帶動電力電子技術的革新。然而,在實際導入產品設計與量產時,開發者仍面臨驅動設計、封裝散熱、EMI干擾與可靠度驗證等技術挑戰,亟需更深入的技術交流與產業合作。...
2025 年 08 月 15 日

IGBT/MOSFET技術突飛 太陽能面板轉換效率猛進

隨著節能觀念興起,再生能源的發電效率也逐漸受到重視,為迎合市場需求,太陽能業者皆無所不用其極努力打造節能高效的太陽能發電系統。受惠近期太陽能逆變器中的IGBT與MOSFET兩項功率元件技術顯著進步,太陽能面板轉換效率已大幅提升。
2011 年 09 月 26 日