自從固態電晶體取代真空電子管以來，半導體工業獲得了令人驚歎的突破性進展，改變了生活和運作方式。如果沒有這些技術進步，在疫情影響之下的封城隔離期間，就不能遠端辦公，與外界保持聯繫。總之，沒有半導體科技技術的進步，人類就無法享受科技帶來的方便。舉個例子，處理器晶片運算能力能顯著提升歸功於工程師不斷努力，在晶片單位面積上擠進更多電晶體。根據摩爾定律，電晶體密度每18個月左右就提升一倍，這個定律控制半導體微處理器反覆運算50多年。現在，即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如分層垂直堆疊技術。同時，科技產業也正處於另一場革命浪潮之中，碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬能隙半導體正在快速發展，這些新材料具有獨特的物理性質，可以提升元件的效能和功率密度，能夠在更惡劣的熱環境內安全運作。 此外，近期出現的超接面MOSFET是一場高壓(即200V以上)矽基功率電晶體的技術革命。直到90年代末，晶片設計者還不得不接受這樣一個定律，即平面電晶體的品質因數(導通電阻與晶片面積的乘數)與擊穿電壓BV成正比，比例最高到2.5。這意謂著，在給定的電壓下，要達到較低的導通電阻值，唯一的解決辦法就是增加晶片面積，而此一結果是小封裝應用變得越來越難。透過使上述關係接近線性，超接面技術拯救了高壓MOSFET。廠商如意法半導體(ST)將該技術命名為MDmesh，並將其列入STPOWER的子品牌。 超接面電晶體的原理 超接面電晶體的運作原理是利用一個簡化的麥克斯韋方程式(Maxwell's...