Diodes發布三相閘極驅動器 IC 晶片

Diodes推出一款整合三相閘極驅動器IC晶片–DGD2136，用來在半橋配置中驅動N通道MOSFET或 IGBT。浮點高側驅動器與靴帶式運作，讓DGD2136能夠切換高達600V，低至 2.4V...
2017 年 11 月 17 日

凌力爾特發布150V高壓側N通道MOSFET驅動器

亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear)日前推出高速、高壓側N通道MOSFET驅動器–LTC7001，該元件以高達150V電源電壓運行。其內部充電泵全面增強了外部N通道MOSF...
2017 年 07 月 11 日

德州儀器兩款新型裝置縮小馬達驅動應用尺寸

德州儀器(TI)推兩款新型裝置產品組合(CSD88584/99與DRV832x)，能協助縮小並降低馬達驅動應用的尺寸和重量。DRV832x無出刷直流(BLDC)閘極驅動器和CSD88584/99 NexFET...
2017 年 05 月 26 日

羅姆新款車用晶片組符合高精細螢幕需求

羅姆(ROHM)和LAPIS，針對汽車儀表板和汽車導航用的大型、高精細液晶螢幕，推出車用液晶螢幕驅動、控制用專用晶片組。 近年來儀表板和導航、電子式後照鏡等皆快速液晶化，隨著...
2017 年 01 月 13 日

凌力爾特電源控制器溫度範圍可達-55～150°C

凌力爾特(Linear Technology)發表H-及MP等級版本的三組輸出同步降壓切換穩壓控制器–LTC3853，可操作於4.5～24伏特(V)輸入電壓範圍，以及產生每相位達20安培(A)的輸出電流，輸出電壓範圍為0.8～13.5伏特，效率達95%。H及MP等級版本分別保證可操作於-40～150°C，及-55～150°C溫度範圍。 LTC3853擁有1.1歐姆(Ohm)晶片上金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)閘極驅動器；其定頻電流模式架構提供可選擇的固定或同步化頻率，範圍為250k～750kHz，功耗及電源雜訊透過120°反相三階操作達到最低；此外，輸出電流感測可透過量測橫跨輸出電感(DCR)的壓降達成，或透過選配式的感測電阻進行。 新元件具備可調式軟啟動或追蹤、可選擇的Burst...
2014 年 09 月 04 日

凌力爾特發表高端/高頻MOSFET閘極驅動器

凌力爾特(Linear Technology)發表高端、高頻N通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)閘極驅動器–LTC4440A-5，可透過高達80伏特(V)輸入電壓操作，並可於達100伏特瞬變過程連續操作。該驅動器可與功率MOSFET、凌力爾特眾多直流對直流(DC-DC)控制器結合，構成完整的電源方案。 LTC4440A-5可透過4～15伏特閘極驅動電壓操作，其針對驅動低邏輯位準MOSFET而最佳化，並包含一個欠壓鎖住電路，啟動時會禁能外部MOSFET。該輸入接地參考邏輯訊號可內部位移至高端閘極驅動電源，可於接地電位95伏特以上連續操作。透過6伏特閘極驅動，使LTC4440A-5具有1.1安培(A)峰值上拉電流和1.8歐姆(Ω)下拉阻抗，使其成為驅動高柵極電容、高電流MOSFET，以及多個並聯MOSFET用於更高電流應用的理想選擇。當驅動1,000漠法(pF)負載時，其快速10奈秒(ns)上升和7奈秒下降，更可將切換損耗降至最低。 ...
2013 年 10 月 09 日

快捷車用高速/低側閘極驅動器上市

快捷半導體(Fairchild)FAN31xx_F085和FAN32xx_F085系列符合要求的高速、低側車用閘極驅動器提供靈活的電源供應和其他高效金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)開關應用，...
2013 年 08 月 23 日

快捷發表整合式低側閘極驅動器

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)為幫助此類系統設計者節省元件數量、電路板空間、設計時間及成本，開發了FAN3180，這是一款帶有整合式3.3伏特(V)輸出穩壓器的單一2安培(A)低側驅動器(Low-Side...
2013 年 05 月 02 日

TI針對IGBT與SiC FET設計推出閘極驅動器

德州儀器(TI)針對絕緣閘雙極電晶體(IGBT)與碳化矽(silicon carbide, SiC)單結型場效應電晶體(FET)的設計，推出業界首款35伏特(V)單通道輸出電源管理閘極驅動器。   德州儀器最新UCC27531與UCC27532輸出級閘極驅動器支援獨立輸出，可為隔離式電源設計提供最高效率輸出驅動功能、最低傳輸延遲及更完善的系統防護，應用範圍如太陽能直流對交流(DC-AC)逆變器、不斷電電源供應與電動車充電等。   現今再生能源應用需要更有效率、安全地傳送電力的電源元件。設計人員希望採用在超過400伏特(V)的電壓下仍可降低功耗的IGBT或最新SiC...
2013 年 03 月 06 日

PV微逆變器需求引爆　功率半導體商機俏

太陽能微逆變器(PV Microinverter)興起將帶動功率半導體需求增長。由於微逆變器須導入升壓(Boost)架構，且使用壽命須媲美太陽能面板，因而帶動低壓金屬氧化物半導體場效電晶體(LV MOSFET)、碳化矽接面型場效電晶體(SiC...
2012 年 07 月 23 日

亞德諾隔離式半橋閘極驅動器具50年運作壽命

亞德諾(ADI)發表隔離式半橋(Half-Bridge)閘極驅動器，採用iCoupler數位隔離器技術的4 A ADuM 3223及ADuM 4223閘極驅動器，相較於以光耦合器技術為基礎的元件還要快四倍，並具有50年的運作壽命。   亞德諾數位隔離器行銷經理Bob...
2012 年 05 月 16 日

TI單通道閘極驅動器簡化開關電源設計

德州儀器(TI)推出首批具有驅動電流效能4A/8A與4A/4A單通道低側閘極驅動器，大幅減少金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)電源元件及氮化鎵(GaN)元件等能帶間隙(Band-Gap)半導體的開關損耗。   UCC27511與UCC27517驅動器是德州儀器最新UCC2751x系列產品，有效取代使用雙極接面(Bipolar...
2012 年 04 月 26 日
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