不畏三星/英特爾14nm攻勢 台積16FF+先蹲後跳

面對英特爾(Intel)、三星(Samsung)雙雙宣布旗下14奈米鰭式場效應電晶體(FinFET)處理器正式邁入量產,台積電亦不甘示弱,將於今年第二季量產16奈米FinFET強效版製程(16FF+),拉升晶片效能和功耗表現;此外,安謀國際(ARM)與賽靈思(Xilinx)也已接連揭櫫16FF+相關產品藍圖,將有助台積電在1x奈米製程市場扳回一城。 工研院IEK電子組系統IC與製程研究部研究經理彭茂榮表示,台積電挾在晶圓代工領域長久累積經驗,在短時間內將原先規畫的16奈米FinFET升級為效能更強、功耗更低的16FF+,並將量產時間提前至2015年第二季,目的除追趕半導體一哥英特爾發展腳步外,亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14奈米已先一步投產,但從16FF+良率與性能不斷攀升,且可望在今年底前完成數十件設計定案(Tape...
2015 年 03 月 03 日

確保與IBM合作有成 聯電緊握14/10nm主導權

聯電近期與IBM簽訂合作計畫,全力衝刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)製程量產。不過,聯電也不忘記取當初發展0.13微米時,授權IBM方案卻面臨量產窒礙難行,反遭台積電大幅超前進度的教訓;此次在14/10奈米的合作僅將採用IBM基礎技術平台與材料科技,並將主導大部分製程研發,以結合先進科技和具成本效益的量產技術,避免重蹈覆轍。 聯電執行長顏博文表示,隨著IC設計業者對於更新、更先進技術的需求日益增高,聯電日前已宣布加入IBM...
2013 年 08 月 13 日

集中火力攻FinFET 聯電確定不玩20奈米

聯電將跳過20奈米(nm)製程節點,全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由於20奈米研發所費不貲,加上市場需求仍不明朗,因此聯電已計畫在量產28奈米後,直接跨過20奈米節點,加速挺進更具投資效益的14奈米FinFET世代,以與台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。   聯電市場行銷處處長黃克勤表示,20奈米製程帶來的效益將不如從40奈米演進至28奈米的水準,且須導入雙重曝光(Double...
2013 年 07 月 30 日

先進製程穩紮穩打 聯電先顧40奈米金雞母

聯電將全力衝刺40奈米(nm)晶圓代工業務。不同於台積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)陸續宣布加速16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)量產時程,積極卡位先進製程市場,聯電則先以擴大40奈米營收比重為主要發展重心,並將擴增高壓液晶顯示(LCD)驅動IC、嵌入式快閃記憶體等12吋晶圓利基型製程,強化營收主力。 ...
2013 年 05 月 10 日