缺乏EDA工具支援 3D IC設計進展牛步

目前3D IC整合技術的研發仍以製程技術為主,而矽穿孔(Through-silicon-via, TSV)更是其中最熱門的技術之一,由於TSV可以讓同樣尺寸的晶片封裝內容納更多的電晶體,亦可有效縮短各元件之間的連線長度,提升效能,因此受到矚目。
2010 年 01 月 18 日

應用環境未臻成熟 射頻晶片3D化慢飛

儘管三維晶片(3D IC)在近期掀起陣陣旋風,不過由於技術門檻與應用環境尚未成熟,預期射頻(RF)晶片大幅採用3D IC的封裝技術還要等上兩年。   ...
2010 年 01 月 13 日

異質整合當道 半導體商加碼先進封裝技術

製程微縮已不再是半導體方案發展的唯一出路。在晶圓代工業者與研究機構通力合作下,利用3D、矽穿孔等技術達到異質晶片整合的設計方法,已開始由實驗室走向商用量產,並成為實現未來創新應用方案的重要途徑。
2009 年 11 月 02 日

台積電與IMEC/SVTC攜手「超越摩爾」

為進一步強化異質整合技術能力,台積電日前先後與歐洲最大的奈米微電子技術研究機構IMEC及美國以從事研發為主的晶圓廠SVTC合作,分別成立創新育成聯盟,期加快創新技與產品的商用化速度。  ...
2009 年 10 月 30 日

邁向異質整合優勢多 3D IC普及指日可待

由於可攜式裝置輕薄短小的趨勢,對晶片尺寸的要求也日漸嚴苛,再加上可攜式電子產品功能越來越多,效能越來越好,也需要倍增的記憶容量與更快的處理器,因此3D IC技術挾其可微小化、可整合異質晶片等優勢,逐漸受到半導體廠商重視。
2009 年 09 月 27 日

提升研發效益 IMEC以合作加速產業創新

為降低先進技術高昂的研發經費門檻並分散開發風險,跨國界的技術合作已勢在必行,因此讓獨立且非營利的微電子技術研究機構IMEC重要性與日俱增,其結合產官學研資源所建立的研發平台,不僅可讓合作夥伴共享技術成果,更為產業界注入一股源源不絕的創新動力。
2008 年 12 月 15 日

CMOS製程微縮/異質整合齊頭並進 摩爾定律無限延伸

藉由在微影技術與CMOS材料上的突破,以及在多項策略性應用領域的技術創新,IMEC在先進微電子領域的技術成果再度向前邁進一大步,並讓半導體的功能整合發展超越摩爾定律的想像空間。
2008 年 11 月 28 日