意法半導體推出800V DC轉12V與6V電源架構以支援AI運算需求

意法半導體擴大800V DC電源架構布局,推出兩項全新進階架構:800V DC轉12V與800V DC轉6V。電源架構依據NVIDIA 800V DC參考設計開發,並補足先前推出的800V DC轉50V解決方案。800V...
2026 年 03 月 25 日

德州儀器推出800V直流電源架構 支援NVIDIA AI資料中心發展

德州儀器發表一套完整的800V直流電源架構,專為基於NVIDIA 800V直流電源參考設計的下一代AI資料中心而設計。此解決方案將於2026年3月16日至19日於NVIDIA GTC展出。TI將展示其類比與嵌入式處理技術如何支援NVIDIA推動AI資料中心高電壓系統發展。 TI高壓電源業務副總裁暨總經理Kannan...
2026 年 03 月 19 日

是德科技於DesignCon 2026展示AI資料中心與高速互連解決方案

活動內容:是德將於DesignCon 2026展示端到端解決方案,涵蓋AI系統設計、相互操作性驗證及大規模效能測試。從先進封裝與小晶片到PCIe、記憶體及USB4驗證,現場將展示如何突破物理限制、確保相符性並提前降低設計風險。展示內容最終將呈現1.6T互連基準測試及新興AI架構驗證,讓客戶對其設計能在系統級規模的效能更具信心,同時加速部署時程。 時間:2026年2月24日至26日 地點:美國加州聖塔克拉拉會議中心,是德科技攤位(編號1039) 媒體聯絡:請聯繫Andrea...
2026 年 02 月 13 日

AI散熱帶動高效能馬達驅控需求 興茂卡位資料中心關鍵節點

為提升散熱效率,AI資料中心對於高性能風扇、泵浦的需求大幅增加,對馬達驅控方案的性能跟功能需求,也隨之明顯提升。強茂集團旗下專攻馬達驅控技術的興茂科技,在這個趨勢中發現切入市場的機會,推出高整合度MCU方案,以回應客戶需求。 隨著生成式AI帶動資料中心算力密度快速攀升,散熱已從系統配角,躍升為決定伺服器效能、可靠度與能耗表現的關鍵環節。從風冷、熱管、Vapor...
2026 年 01 月 09 日

行競科技首創浸沒式冷卻800V高壓直流BBU 進軍AI資料中心電力市場

全面布局AI資料中心!行競科技12月11日正式發表BBx800,業界首創導入浸沒式冷卻技術的800V高壓直流備援電池模組(Battery Backup Unit,下稱BBU)與電源機架(Power Rack),這項全新產品組合不僅回應AI資料中心高功率、高效率與高安全性的電力需求,更標誌行競科技從電動中重型載具和關鍵儲能系統領域,到正式布局AI資料中心電力版圖的全新里程碑。 行競科技亦與全球電源解決方案領導廠商康舒科技展開策略性合作,共同探索高壓直流(HVDC)電力配置的市場機會與未來方向,攜手推動更高效永續的資料中心電源解決方案。 國際能源署(IEA)最新研究指出,從2024年到2030年,全球資料中心用電年成長率約15%,用電量將在2030年前成長一倍、達約945太瓦時(TWh),已成為推升全球用電成長的主力。對營運大型機房與雲端基礎設施的企業而言,備援電力正從單純的「成本項目」,轉變為必須審慎管理的「營運風險」與「資本配置」核心議題。 行競科技以專利IMMERSIO浸沒式冷卻技術多年深耕高壓電能系統,從電動超跑、商用與重型車輛到儲能系統,一路累積堅實基礎並備受業界肯定。看準AI資料中心用電快速成長與備援電力升級的趨勢,行競在今年四月正式推出首款浸沒式冷卻備援電池系統BBx48,浸沒式冷卻48V直流備援電池模組,開啟跨足AI資料中心電力市場的第一步。在此成功基礎上,行競科技進一步鎖定更高電壓與更高功率密度需求,讓行競科技在備援電力產品組合上完成從48V到800V的縱深擴展,也宣示公司正式將版圖延伸至AI資料中心電力市場。 行競科技創辦人暨執行長洪裕鈞(Royce...
2025 年 12 月 18 日

ROHM發表AI資料中心800 VDC電源解決方案白皮書

半導體製造商ROHM發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。 本白皮書基於2025年6月發布的合作新聞稿內容,詳細闡述了ROHM為AI基礎設施適用的800 VDC供電系統提供的最佳電源解決方案。 800...
2025 年 10 月 31 日

英飛凌推出48V智能eFuse系列及400V/800V熱插拔控制器 助力AI資料中心電力保護解決方案

全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌推出48V智能eFuse系列產品,以及適用於人工智慧(AI)資料中心400V與800V電源架構的熱插拔控制器參考板,助力開發者設計出可靠、穩健且可擴展的電力保護和監測解決方案。 該公司透過擴展其電源保護產品組合,滿足當前及未來高功率AI伺服器生態系統對電源路徑保護解決方案日益增長的需求,電壓範圍覆蓋從48V至±400V及800V。智能eFuse及熱插拔控制器技術是在高性能運算環境中實現監控、減少中斷和增加伺服器正常執行時間的關鍵,而伺服器正常執行時間對於降低總體擁有成本(TCO)日益重要。 該公司資深副總裁暨電源系統IC業務線負責人Magdalene...
2025 年 10 月 31 日

格斯科技亮相Energy Taiwan 2025 展示全系列儲能解決方案

格斯科技於「Energy Taiwan台灣國際智慧能源週」登場,展示橫跨家庭、工業及運算領域的完整儲能產品線,並於論壇發表主題演講〈接軌運算新時代:AIDC備援電力創新與落地〉,針對AI資料中心的能源挑戰與應用案例提出深度分析。展區內同步展示多款高穩定度電芯、系統化UPS模組與家庭儲能設備,全面展現台灣在電池製造與能源應用上的技術實力。 隨著生成式AI與高效能運算(HPC)加速滲透,全球資料中心用電量正以每年逾30%速度成長。根據國際能源署(IEA)預估,AI與資料中心合計電力需求將於2026年突破1000TWh,等同整個日本年度用電量。這股能耗浪潮推動各地對「高可用、高效率、低碳排」電力系統的迫切需求,也讓電芯製造與備援電力技術成為運算基礎設施中不可或缺的環節。 格斯科技*發言人許志帆指出,AI資料中心(AIDC)具備「24/7不中斷」特性,其供電品質與瞬時響應能力直接關係到服務水準協議(SLA)的穩定度。以現行主流GPU伺服器如NVIDIA...
2025 年 10 月 31 日

ADI推出Power Studio統一平台 瞄準AI資料中心百軌級電源設計挑戰

當今電子系統的電源設計正面臨前所未有的複雜度考驗。單一電路板上動輒需要數百個電源軌,電壓域從 400V 逐級降至 3.3V,資料中心機架功率更突破 100 千瓦。面對這樣的設計難題,工程師該如何應對?全球半導體領導廠商...
2025 年 10 月 15 日

AI資料中心散熱邁入全面液冷時代 「高效散熱技術與部署實戰」重磅登場

在全球AI伺服器功耗急升、整機櫃密度推向100 kW的新時代,傳統氣冷架構已無法支撐高速運算所帶來的巨大熱負載。如何打造高效率、低能耗、具備長期韌性的散熱架構,已成為資料中心技術升級的核心課題。為協助產業掌握這波關鍵轉折,由經濟部產業發展署指導,資策會、新電子、新通訊、網管人雜誌主辦,外貿協會共同主辦的「AI應用於半導體前瞻技術趨勢技術研討——高效散熱技術與部署實戰」活動,將於10月30日下午於南港展覽館1館舉行,邀請國內外液冷、散熱、能源回收與熱點監測的專家,共同解析AI時代散熱技術的最新突破與實務部署經驗。 AI模型規模不斷翻倍,伺服器處理器功率不斷攀升,機櫃總功率更邁向數十至百千瓦級。高密度算力雖帶來前所未有的效能,但也將散熱壓力推向臨界點。氣冷不再能滿足效能與能耗的平衡,液冷、浸沒式冷卻、高精準熱點監測與熱回收等技術逐漸成為新世代資料中心的標準配備。面對技術快速演進,產業迫切需要一個整合架構、材料技術與現場部署經驗的平台,因此,本次研討會聚焦在最具實務價值的散熱革新,以協助台灣在AI運算基礎設施競賽中保持關鍵優勢。 論壇將以開放運算計畫(OCP)台灣區專案代表Alex...
2025 年 09 月 25 日

瑞薩電子推出三款高壓650V GaN FETs 適用於AI資料中心及電動車充電器

瑞薩電子今天推出三款高壓650V GaN FETs,適用於AI資料中心及採用新款800V HVDC架構的伺服器電源、電動車充電器、UPS備用電池設備、電池儲能裝置和太陽能逆變器。這些Gen IV Plus元件專為一千瓦以上的應用而設計,將高效能GaN技術與矽相容的閘極驅動輸入相結合,顯著降低了切換功率損耗,同時保留矽FETs的操作簡便性。該元件提供TOLT、TO-247和TOLL封裝選項,使工程師能夠靈活地針對特定電源架構,客製化熱管理和PCB設計。 新款TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS元件採用了SuperGaN平台,這是由Transphorm推出的經過驗證且穩定可靠的耗盡型(d-mode)常關型架構。基於低損耗d-mode技術,這些元件的效率優於矽、碳化矽(SiC)和其他GaN產品。此外,透過更低的閘極電荷、輸出電容、交叉損耗和動態電阻影響,來最大限度地減少功率損耗,並具有更高的4V閾值電壓,這是目前增強模式(e-mode)GaN裝置無法實現的。 新款Gen...
2025 年 07 月 04 日

應材聯手歐洲研究重鎮 搶攻特殊晶片商機

全球半導體設備龍頭應用材料公司(Applied Materials)與法國知名研究機構CEA-Leti宣布擴大聯合實驗室合作,聚焦開發物聯網、通訊、汽車、電源和感測器(ICAPS)市場所需的特殊晶片技術。這項合作不僅標誌著兩家機構長期夥伴關係的深化,更反映出特殊晶片市場在AI時代的戰略重要性。 根據預測,到2025年機器將產生每年創建數據的99%,其中大部分將來自網路邊緣的數十億個物聯網產品。這些應用從工業自動化到電動車輛,都需要專門的晶片來處理數據和電源分配,為ICAPS市場帶來龐大成長機會。 背景:特殊晶片市場的崛起 這一現象背後,隱含著半導體產業結構的深層變化。過去產業焦點多集中在先進邏輯和記憶體晶片,但隨著智慧裝置普及和AI應用擴展,非領先製程的特殊晶片需求快速攀升。這些晶片雖然不追求最先進的製程節點,卻在功能整合和效能最佳化方面面臨全新挑戰。 ICAPS市場涵蓋的應用範圍極為廣泛,從CMOS影像感測器、光電元件、射頻晶片,到電源管理晶片和類比數位轉換器,每一類產品都有其獨特的技術要求。這些特殊晶片在AI時代扮演著感知世界、產生資訊並透過無線通訊傳輸的關鍵角色,其重要性正快速提升。 更深入地分析會發現,傳統的單一晶片解決方案已難以滿足多元化的應用需求。產業界正朝向異質整合的方向發展,將不同功能的晶片整合在同一封裝中,這對材料工程和封裝技術提出了更高要求。 核心技術:異質整合與全流程開發 應用材料公司和CEA-Leti此次合作的核心,在於建立完整的特殊晶片開發能力。擴建後的實驗室將配備最新進的封裝工具,支援不同晶圓類型和製程節點的異質整合,這項技術被視為下一代半導體創新的關鍵。 異質整合技術允許將採用不同製程技術製造的晶片組合在一起,例如將矽基邏輯晶片與化合物半導體的射頻晶片整合,或是將類比和數位功能結合在同一封裝中。這種做法不僅能提升效能,還能縮小產品體積並降低成本。 實驗室的另一項重要創新是全流程開發能力,從個別製程步驟擴展到完整的特殊裝置開發。這意味著從材料選擇、製程設計到最終封裝測試的每個環節都能在同一地點完成,大幅縮短開發週期並提升創新效率。 值得注意的是,這次合作特別強調化合物半導體的先進整合技術,包括氮化鎵和磷化銦等材料。這些來自週期表第三族和第五族元素的化合物,在5G/6G通訊、電動車和光通訊等高速、高頻應用中表現出色,其產生光線和支援更快電子移動性的特性,使其成為高效能、節能應用的理想選擇。 產業觀點:歐美合作新模式 面對這項重大合作,兩家機構的領導者展現出不同層面的戰略思考。應用材料公司ICAPS業務部企業副總裁暨總經理Aninda...
2025 年 06 月 18 日