圖1 GAA奈米片的穿透式電子顯微鏡圖

可製造性大幅提升 外壁叉型片解決GAA量產難題

頂尖晶圓代工廠和垂直整合製造商(IDM)正持續為實現2奈米(或相當等級)技術節點的量產而發展,而環繞閘極(GAA)奈米片(Nanosheet)電晶體在該節點扮演核心角色。GAA奈米片元件架構一直作為鰭式場效電晶體(FinFET)的後繼技術而推行,讓靜態隨機存取記憶體(SRAM)和邏輯標準單元得以進一步縮小尺寸。...
2025 年 12 月 29 日

物理學的最後一道紅線:0.2nm晶片如何靠「疊羅漢」續命摩爾定律?

如果把一顆矽原子放大到一顆棒球那麼大,那麼你現在手上的iPhone處理器,大概就是把整個台北市塞進一個火柴盒裡的精密程度。但人類還不滿足,半導體產業的瘋狂工程師們現在盯上了一個讓人頭皮發麻的數字:0.2nm。...
2025 年 11 月 27 日

挑戰七埃米製程 imec提出雙列CFET結構

在2024年IEEE國際電子會議(IEDM)期間,比利時微電子研究中心(imec)發表一款基於互補式場效電晶體(CFET)的全新標準單元結構,內含兩列CFET元件,兩者之間共用一層訊號布線牆。這種雙列CFET架構的主要好處在於簡化製程和大幅減少邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)的面積。根據imec進行的設計技術協同最佳化(DTCO)研究。與傳統的單列CFET相比,此新架構能讓標準單元高度從4軌降到3.5軌。...
2024 年 12 月 09 日

3D電晶體架構不斷翻新 製程微縮還能繼續走下去

由於製程微縮的技術難度越來越高,半導體業界在過去十年,已兩度大改電晶體的結構設計,以創造出更大的微縮空間。也由於電晶體的結構設計將對電路微縮的潛力產生決定性影響,到2030年代初期,我們或許還將再看到一次電晶體結構的大幅轉變。...
2023 年 10 月 27 日

CFET技術取得重大突破 製程微縮繼續前行

在2021年IEEE國際超大型積體電路技術研討會(VLSI Symposium)期間,imec首次提出叉型片(Forksheet)的元件架構,用來延續奈米片(Nanosheet)電晶體發展,微縮至1nm以下的技術節點(圖1)。...
2022 年 09 月 05 日