英飛凌推出整合式半橋解決方案CoolGaN Drive HB 600 V G5 提升氮化鎵易用性

英飛凌推出CoolGaN Drive HB 600 V G5產品系列,進一步擴大了其CoolGaN產品組合。四款新產品IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M和IGI60L5050B1M均採用半橋配置,並在其中整合了兩個600V氮化鎵(GaN)開關,帶有高低側閘極驅動器與自舉二極體,提供緊湊且散熱最佳化的功率級,進一步降低設計複雜度。透過將諸多關鍵功能整合到一個經過最佳化的封裝中,該系列減少了外部元件數量、緩解了快速開關型GaN元件常見的PCB布局難題,協助設計人員縮短開發週期,同時實現了GaN技術的核心優勢:更高的開關頻率、更低的開關與導通損耗,以及更高的功率密度。 英飛凌氮化鎵業務線負責人Johannes...
2026 年 03 月 10 日

英飛凌與安克攜手開發160W口袋級快充器 重新定義高功率密度標準

英飛凌宣布與領先的快充電源裝置製造商安克(Anker)擴大合作,共同開發新一代高速充電器,實現高達160W功率的輸出,同時保持精簡、便攜的口袋級尺寸。這一合作成果正在重新定義高功率密度和高效率的業界標準,尤其展現在安克推出的160W...
2025 年 12 月 18 日

英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8吋晶圓製程

英飛凌(Infineon)宣布推出兩款新一代高電壓(HV)與中電壓(MV)CoolGaN產品,讓客戶可以在更廣泛的應用領域中,採用40V至700V電壓等級的氮化鎵(GaN)裝置,推動數位化與低碳化進程。這兩項產品系列均由英飛凌位於馬來西亞居林(Kulim)以及奧地利菲拉赫(Villach)據點生產,採用英飛凌內部高效能的8吋晶圓製程製造。藉此,英飛凌擴大了CoolGaN的優勢與產能,在GaN裝置市場中確保了強大的供應能力。而根據Yole...
2024 年 07 月 15 日

英飛凌/安克成立創新應用中心攜手開發PD快充方案

英飛凌(Infineon)近日宣布其與安克創新(Anker Innovations)在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面投入營運之後,將開發能夠更高能效,減少碳排放的充電解決方案,推動低碳化進程。 隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加,消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。安克-英飛凌創新應用中心的策畫最初始於2021年。經過兩年的籌備,該創新應用中心正式成立,並發展成為匯聚諸多業界專家的研發中心。借助該創新應用中心,業界專家將基於英飛凌新一代混合反馳式(HFB)控制器產品系列和用於100W以上快充充電器的CoolGaN...
2024 年 01 月 30 日

Si/SiC/GaN各擅勝場 功率開關元件選用要仔細

電源轉換器所使用的功率開關元件一直以來都採用矽(Si)半導體材料為主,但是隨著越來越多苛刻的應用與需求,矽半導體材料發展也趨近於材料本身的極限,使得矽功率開關元件已經無法完全符合需求。為了符合電源轉換...
2019 年 12 月 09 日

英飛凌推出CoolGaN 400V/CoolGaN 600V工業級產品

英飛凌科旗下CoolGaN系列新增兩款產品。CoolGaN 400V開關元件(IGT40R070D1 E8220)專為頂級HiFi音響系統量身打造,可滿足終端使用者對於高解析度聲軌所有細節的要求。 傳統作法上,這項功能需要具備龐大的線性或真空管放大器才能完成。將...
2019 年 11 月 07 日

電源供應市場帶頭衝 GaN功率IC商機超展開

GaN功率半導體,近來無論市場應用或技術進展皆跨入新的發展階段,加上研究機構單體式整合製程的催化,後市可望由電源供應市場逐步壯大。
2019 年 08 月 08 日