英飛凌(Infineon)推出採用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC MOSFET 2000V裝置，不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。
CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化矽分立元件，CoolSiC MOSFET採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。該半導體元件得益於其較低的開關損耗，適用於太陽能(如組串逆變器)以及儲能系統和電動車充電應用。
CoolSiC MOSFET 2000V產品系列適用於最高1500VDC的高直流母線系統。與1700V SiC MOSFET相比，這些元件還能為1500VDC系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC MOSFET的基準閘極閾值電壓為4.5V，並且配備了堅固的本體二極體來實現硬換向。憑藉.XT連接技術，這些元件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
除了2000V CoolSiC MOSFET之外，英飛凌近期也將推出配套的CoolSiC二極體：首先將於2024年第三季度推出採用TO-247PLUS 4引腳封裝的2000V二極體產品組合，隨後將於2024年第四季度推出採用TO-247-2封裝的2000V CoolSiC二極體產品組合。這些二極體適合太陽能應用。此外，英飛凌還提供與之匹配的閘極驅動器產品組合。
CoolSiC MOSFET 2000V產品系列現已上市。另外，英飛凌還提供相應的評估板EVAL-COOLSIC-2KVHCC。開發者可以將該評估板作為一個精確的通用測試平台，透過雙脈衝或連續PWM操作來評估所有CoolSiC MOSFET和2000V二極體以及EiceDRIVER緊湊型單通道隔離閘極驅動器1ED31xx產品系列。
