IoT商機滾滾 嵌入式記憶體需求暢旺

物聯網(IoT)發展熱潮將推升嵌入式記憶體需求。行動裝置、汽車、工業等機器對機器(M2M)裝置對固態硬碟需求持續攀升,加上嵌入式系統因應巨量資料(Big Data)來臨,對記憶體容量的要求也翻倍成長,皆可望帶動各式嵌入式記憶體出貨量一路長紅。 ...
2013 年 08 月 19 日

緊追賽靈思16nm進度 Altera明年投產14nm

Altera的14奈米(nm)三閘極電晶體(Tri-gate Transistor)製程可望於明年啟動量產。面對賽靈思(Xilinx)即將於2014年採用台積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,生產首批現場系統單晶片可編程閘陣列(SoC...
2013 年 06 月 11 日

多核處理器應用熱燒 電源管理晶片邁向高整合

高整合電源管理晶片可強化多核心處理器效能。行動裝置大舉導入多核心處理器,讓電源設計架構隨之異動,不少應用處理器開發商已開始將部分電源功能自平台中分離,讓合作的電源晶片業者開發更高功能整合度的電源管理方案,以兼顧處理器效能和低功耗設計。
2013 年 05 月 27 日

衝刺28奈米/FinFET研發 晶圓廠資本支出創新高

為爭搶先進製程商機大餅,包括台積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠,下半年均將擴大資本設備支出,持續擴充28奈米製程產能;與此同時,受到英特爾衝刺FinFET技術研發刺激,各大晶圓廠也不斷加碼技術投資,將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013 年 05 月 13 日

傳輸速度翻倍 SATA3將成工控SSD主流介面

採用SATA3介面的固態硬碟(SSD)正快速在工業市場崛起。瞄準工業個人電腦(IPC)系統開發商的導入需求,宇瞻、宜鼎、創見和威剛等模組廠將於今年6月推出SATA3工控專用固態硬碟,實現比SATA2快一倍的傳輸速度,將有助推升SATA3成為工控固態硬碟介面主流。...
2013 年 04 月 30 日

晶圓代工/DRAM領軍 半導體產值今年強彈

2013年全球半導體產值將強勁成長4.5%,一掃去年下滑2.7%的陰霾。由於今年全球經濟狀況相對去年穩定,且行動裝置處理器業者轉換至28、20奈米(nm)先進製程的需求持續湧現,加上動態隨機記憶體(DRAM)市場供需趨於平衡等正面因素加持,2013年晶圓代工與記憶體產值皆將大幅成長,成為帶動整體半導體產值回升的雙引擎。 ...
2013 年 04 月 11 日

記憶體加入ECC功能 嵌入式系統提升抗誤碼能力

開發人員為避免嵌入式系統內建記憶體的錯誤碼導致儲存的資料損壞,甚至更嚴重造成系統崩潰,將利用於記憶體中加入ECC功能,藉此降低記憶體出錯機率,並強化嵌入式系統的抗錯誤能力。
2013 年 02 月 25 日

廠商戮力開發新應用 晶片立體堆疊技術未來可期

TSV立體堆疊技術已在各式應用領域當中嶄露頭角。TSV堆疊技術應用於DRAM、FPGA、無線設備等應用上,可提升其效能並維持低功耗,因而獲得半導體廠及類比元件廠的青睞,儘管如此,若要加速TSV技術於市場上應用的速度,仍須仰賴代工廠、IP供應商、EDA廠與封測代工廠的共同合作。
2013 年 02 月 24 日

改用NOR快閃記憶體 CO2濃度測量成本/功耗銳減

二氧化碳(CO2)濃度測量設備近來受到全球醫療產業愈來愈多的關注。其具備低功耗、高速圖形運算等功能特色,經由持續監測二氧化碳排放量,並配備通風、代謝和流通機制組成一個回饋系統,從而提供病人更好的護理照護品質。
2013 年 02 月 07 日

製程準備就緒 3D IC邁入量產元年

2013年將出現首波3D IC量產潮。在晶圓代工廠製程服務,以及相關技術標準陸續到位後,半導體業者已計畫在今年大量採用矽穿孔(TSV)封裝和3D IC製程技術,生產高度異質整合的系統單晶片方案,以符合物聯網應用對智慧化和低功耗的要求。
2013 年 02 月 04 日

緊追日韓記憶體廠 工研院試產次世代NVRAM

工研院次世代非揮發性記憶體(NVRAM)即將試產。現有揮發性DRAM、SRAM及非揮發性快閃(Flash)記憶體,將分別面臨20或15奈米(nm)以下製程微縮的物理極限,難以持續改善晶片體積與耗電量;因此,除日韓一線記憶體廠正加緊量產新興磁性記憶體(MRAM)、電阻式記憶體(RRAM)外,工研院電光所亦攜手國內業者投入相關晶片研發,預計今年即可進入試產階段。 ...
2013 年 01 月 10 日

JEDEC發布DDR4標準 DRAM頻寬/能效再升級

第四代雙倍資料率(DDR4)標準正式出爐。聯合電子裝置工程協會(JEDEC)公布動態隨機存取記憶體(DRAM)DDR4版本,新規格較DDR3具備更高的傳輸速率、可靠度和更低的功耗,可望一舉推升相關記憶體裝置效能。 ...
2012 年 09 月 27 日