宜特日前宣布其IC晶片Focus Ion Beam(FIB)電路修補技術達5nm製程，這是從2018年首度完成7nm製程的樣品後，再次挑戰更先進製程的電路修補，並成功協助客戶優化晶片效能，加速產品上市。先進製程的開發成本越趨昂貴、晶圓產能短缺交期更長，即使電路模擬軟體(如EDA工具)的輔助設計不斷提升，仍無法確保晶片成品能百分之百達到設計目標，一旦發現電路瑕疵只能再次進行光罩改版；然而光罩價格不斐，且重新下光罩後，等待修改過後的晶片時間通常超過一個月，因此，多數IC設計業者會選擇IC電路修補，只需幾個小時內即可完成修改，確保電路設計符合預期，並降低時間及金錢的成本耗損。 電路修改最常使用的工具為FIB聚焦離子束電子顯微鏡，是利用鎵(GA+)離子源透過電場牽引成離子束，高速碰撞樣品表面產生二次離、電子收集後成像；而離子轟擊過程中利用注入不同氣體，對晶片上各種材料選擇性地加速或減緩蝕刻，以及沉積導電和介電絕緣材料，達到修改電路的目的，搭配CAD導航系統輔助，準確的定位目標，提高電路修補精準度。 宜特是台灣首家執行FIB電路修補的民營實驗室，翻轉IC設計業以往的驗證模式，大幅縮短IC設計公司從概念設計到量產上市時間並節省研發經費。宜特目前的電路修補技術不僅可完成5nm晶背電路修補外，今年更引進的最新設備，其影像解析度更由4.5nm提升至3.5nm，提高深層、微小線徑及複雜電路修補的成功率，並且其介電材料有更高的電阻率(1E15...

隨著人工智慧及大數據時代來臨，晶片也須透過不斷微縮提升效能。面對7奈米(nm)先進製程，如何生產效能更高、耗電更少、面積更小，且符合可靠度要求的晶片，為當今半導體製程的重要課題。

隨著摩爾定律，半導體製程從1微米(µm)、0.5微米、0.13微米不斷微縮到奈米(nm)等級，如此先進製程的電路修補，考驗FIB(Focused Ion Beam)實驗室的技術發展及應用能力。特別當製程來到16奈米以下的製程，封裝型式多數為覆晶技術(Flip...

宜特科技正式突破技術門檻，在IC電路除錯技術上完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。除擁有技術外，該公司也建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室，除一般的Front-side聚焦離子束(FIB,...