GaN-FET實現高效反馳式轉換器 兼顧穩定/高效/低功耗

隨著電力電子技術、半導體材料與工程的不斷演進,氮化鎵金氧半場效電晶體(Gallium Nitride-Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,...
2024 年 08 月 14 日

專訪ADI多市場電源事業部資深業務發展經理Allen Tsai ADI整合電源產線布局高階應用

專注於類比技術多年的ADI,近年併購Linear與Maxim,三家公司都擁有各自的電源產品線,經過一段時間的整合,針對工業、車用與通訊/雲端等高階應用的電源產品線更為完整,以應對產品設計日趨複雜所帶來的挑戰。 根據產業研究機構資料,ADI多市場電源事業部資深業務發展經理Allen...
2024 年 08 月 07 日

Transphorm發布兩款4引腳TO-247封裝SuperGaN元件

Transphorm宣布推出兩款採用4引腳TO-247封裝(TO-247-4L)的新型SuperGaN元件。新發布的TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET元件分別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻,並配有一個開爾文源極端子,以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。 新產品將採用Transphorm成熟的矽襯底氮化鎵製程,可靠性高且具有良好的成本效益,適合現有矽基生產線量產。目前,50毫歐TP65H050G4YS...
2024 年 01 月 22 日

TI低功率GaN產品縮減AC/DC電源供應器體積

德州儀器(TI)宣布擴大其低功率氮化鎵(GaN)產品組合,旨在協助提升功率密度、最大化系統效率,以及縮小AC/DC電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI具備整合式閘極驅動器的GaN場效應電晶體(FET)整體產品組合,可解決常見的散熱設計挑戰,讓供應器維持低溫,同時以更小的體積推動更大功率。 TI高電壓電源總經理Kannan...
2023 年 12 月 07 日

GaN對電池測試系統的效益

電動化市場趨勢的成長和電動車產業的擴張對電池化成和測試市場構成新的挑戰仍然是鋰離子電池量產的最大瓶頸。為了尋求因應之道,設計工程師設法提高測試設備通道密度、改善整體系統效率和降低系統成本。其中一種解決方案是氮化鎵(GaN)技術,而德州儀器(TI)的GaN...
2023 年 10 月 13 日

Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案

Transphorm發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用,適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦,加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同於同類競爭的e-mode...
2023 年 06 月 19 日

WPI/EPC 12/1直播談GaN DC-DC/馬達控制優勢

大聯大世平(WPI)和宜普(EPC)於2022年12月1日10:00~11:00聯合舉辦直播活動,探討GaN為48V高功率密度DC-DC轉換和馬達控制帶來的優勢。 人工智慧、5G和大數據的發展需要更高的功率為伺服器、儲存和網路機架供電,並且需要在相同的外型尺寸實現更高的功率。許多系統正逐漸轉用48V配電電壓架構,以大大減少功耗和增加功率密度。更高效、更快、更小的氮化鎵(GaN)FET和IC能夠支持新的48V機架設計,實現最高的功率密度、最高的效率、減少功耗、減省雲端資料中心的能源費用和提高整體電力使用效率。 用於馬達控制的GaN元件可縮小尺寸、更輕、降低可聽雜訊和實現精準控制。無刷直流(BLDC)馬達用於電動自行車和電動滑板車、協作機器人和機器人、醫療用機器人、無人機和車用馬達等應用。GaN...
2022 年 11 月 16 日

TI散熱管理突破功率密度效能界線

幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加,電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。超大規模資料中心機架式伺服器使用大量電力,這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰;電動車從內燃機到800V電池組的過渡伴隨著動力總成的半導體數量呈現指數型成長趨勢;商業和家庭安全應用方面,隨著視訊門鈴和網路監控攝影機變得愈來愈普遍,這些裝置尺寸持續縮小形成對必要的散熱解決方案的限制。 提高功率密度的障礙是什麼?熱性能是電源管理積體電路(IC)的電氣副產品,無法在系統等級使用濾波元件予以忽略或「優化」。熱效應的緩解需要在開發過程的每個步驟中進行關鍵的微調,以便設計能夠滿足特定尺寸限制的系統要求。下列是德州儀器(TI)專注於優化熱性能和突破晶片級功率密度障礙的三個關鍵領域。 許多全球半導體製造商都競相提供電源管理產品,這些產品利用製程技術節點在業界標準封裝中提高性能。例如,TI持續投資45和65奈米製程技術,提供針對成本、性能、功率、精密度和電壓程度進行優化的產品。製程技術進展也有助於TI創造在各種熱條件下保持高性能的產品。例如,降低整合式金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)的特定導通電阻(RSP)或導通阻抗(RDS(on))可以盡可能縮小晶片尺寸,同時提高熱性能。氮化鎵(GaN)或碳化矽等其他半導體開關也是如此。 除了在製程技術層面提高效率之外,創造性電路設計在提高功率密度方面也發揮重要作用。設計人員一直以來使用離散式熱插拔控制器來保護高電流企業應用系統。做為保護功能,這些裝置相當可靠,不過隨著終端裝置製造商(和消費者)需要更大的電流能力,離散式電源設計可能會變得太大,尤其是伺服器電源單元(PSU)等裝置通常需要300A電流以上。 TI...
2022 年 11 月 01 日

數位電源安全/功率密集/高效率達陣 GaN FET/即時MCU相得益彰

伺服器與電信電源供應器是可從使用氮化鎵(GaN)中獲益的市場示例。數位通訊基礎架構市場持續成長,部分預期機架式伺服器市場將在接下來五年內增為兩倍,超大規模資料中心則會以將近20%的年複合成長率成長。
2021 年 06 月 20 日

ToF應用持續擴展 EPC eGaN FET提升偵測速度/準確度

在車用、工業自動化、醫療保健、智慧廣告、遊戲及安防等應用領域,應用飛時測距(Time of Flight, ToF)技術偵測距離越來越普遍,而偵測速度及準確性也隨著技術的成熟成為效能的重點,氮化鎵場效應電晶體(GaN...
2021 年 02 月 23 日