瑞薩電子推出三款高壓650V GaN FETs 適用於AI資料中心及電動車充電器

瑞薩電子今天推出三款高壓650V GaN FETs,適用於AI資料中心及採用新款800V HVDC架構的伺服器電源、電動車充電器、UPS備用電池設備、電池儲能裝置和太陽能逆變器。這些Gen IV Plus元件專為一千瓦以上的應用而設計,將高效能GaN技術與矽相容的閘極驅動輸入相結合,顯著降低了切換功率損耗,同時保留矽FETs的操作簡便性。該元件提供TOLT、TO-247和TOLL封裝選項,使工程師能夠靈活地針對特定電源架構,客製化熱管理和PCB設計。...
2025 年 07 月 04 日