安森美推出垂直GaN技術 樹立功率密度和能效新標竿

隨著全球能源需求因AI資料中心、電動汽車以及其他高能耗應用激增,安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和穩健性樹立新標竿。這些新一代GaN-on-GaN功率半導體能夠使電流垂直穿過化合物半導體,支援更高的工作電壓和更快的開關頻率,助力AI資料中心、電動汽車(EV)、可再生能源以及航空航太等領域實現更節能、更輕量緊湊的系統。...
2025 年 10 月 31 日

鎖定LED照明應用 晶電GaN-on-Si晶片量產在即

晶元光電氮化鎵(GaN)布局再下一城。繼年初取得德國ALLOS Semiconductors矽基氮化鎵(GaN-on-Si)的技術授權後,晶元光電即將於近期投產GaN-on-Si晶片,目標鎖定發光二極體(LED)照明市場。另外,該公司也正積極研發GaN-on-GaN技術,將瞄準600伏特(V)以上的功率元件應用,以取代MOSFET、IGBT等矽功率元件。 ...
2015 年 12 月 10 日

GaN-on-Si陷膠著 GaN-on-GaN LED趁勢崛起

氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)發光二極體(LED)聲勢看漲。GaN-on-GaN LED毋須克服讓矽基氮化鎵(GaN-on-Si)LED研發人員頭痛的晶格、熱膨脹係數等問題,加上GaN基板技術迭有突破,價格下滑可期,因而逐漸成為備受矚目的LED基板替代方案。 ...
2013 年 05 月 08 日