尺寸微縮/高效率優勢突顯　GaN成功率放大器首要選擇

隨著功率與頻率不斷提高，GaN具備更高的功率密度，加上更好的熱管理能力，進而在市場尺寸、重量、功率、成本要求日漸嚴苛之下脫穎而出。
2019 年 05 月 13 日

推升大功率電源轉換器能效　新GaN功率開關鋒芒畢露

採用GaN HEMT可使電源轉換器的效率增加，對於大功率電源轉換器在能源節省方面有極大助益，並提升終端產品效能。
2019 年 05 月 09 日

各路人馬鴨子划水　化合物半導體前景可期

在VCSEL感測應用現身，加上GaN大舉進駐電源管理之後，化合物半導體開始展現出不容小看的商業應用潛力。
2019 年 05 月 02 日

矽材料已近物理極限急尋接班　寬能隙GaN表現優異可望出線

使用矽(Silicon)材料的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件於1960年代問世，到了1998年以超接面(Super Junction)技術為主的功率晶體被開始使用，數十年來矽的功率晶體對電子產業的影響甚鉅，但到了今日，矽材料作為功率元件也接近物理開發極限，而相關從業人員早已考量寬能隙材料(Wide...
2019 年 03 月 28 日

氮化鎵電晶體添柴加薪　無線充電功率密度更進一步

無線充電的實現使得手持式裝置得以捨棄傳統電源適配器或充電器的接頭與冗長的電源線。雖然這項技術已存在一段時日，而且有些智慧型手機也已經支援無線充電功能，目前也被應用開發在平板式裝置與筆記型電腦，可以預期在接下來的幾年，無線充電也會被逐漸廣泛使用在其他應用之上。本文將說明氮化鎵(GaN)電晶體優於金氧半電晶體(MOSFET)，應用在無線充電的兩個常用之功率放大拓撲。
2019 年 02 月 27 日

英飛凌展望2019擴大電源領先優勢　搶占車用鰲頭

德國半導體大廠英飛淩(Infineon)科技在功率半導體領域市占全球第一、車用半導體領域全球第二。2018年全球營收達76億歐元，而本於讓人們的生活更加便利、安全和環保的目標之下；2019年，也將在汽車電子、工業電源控制、電源管理與多元電子、數位安全解決方案等四大事業持續推動與發展。...
2019 年 02 月 21 日

(更新)國防/電信驅動RF GaN需求　專利申請戰全面啟動

電信和國防應用推動射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發展。根據市調機構Yole Développement調查指出，RF GaN產業於2017~2023年間的年複合增長率達到23%。隨著市場不斷地發展，截至2017年底，RF...
2019 年 02 月 19 日

貿澤供貨TI LMG3410R070 GaN功率級產品

貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始供應Texas Instruments(TI)的LMG3410R070 600V 70 mΩ氮化鎵(GaN)功率級產品。LMG3410R070具有超低的輸入與輸出電容，支援高功率密度之電動馬達應用的新型態需求，適合的應用包括工業型與消費型的電源供應器。高效能GaN功率級支援的電流、溫度、電壓和切換頻率皆比矽電晶體更高，同時還可減少多達80%的切換耗損。...
2019 年 01 月 29 日

專訪英飛凌電源及多元電子事業處資深產品行銷經理鄧巍CoolGaN大幅提升電源工作效率

氮化鎵(GaN)近年於電源應用領域大行其道，商機也因而快速成長。為搶攻GaN市場版圖，電源晶片供應商英飛凌(Infineon)趁勢推出新一代GaN解決方案「CoolGaN 600 V增強型HEMT和EiceDRIVER驅動IC」，期能為伺服器、電信、無線充電或適配器(Adapters)等電源產品提供更高的電源效率與功率密度，並減少體積與設計成本。
2019 年 01 月 19 日

3D感測/機器視覺強強聯手　AI升級智慧製造商機無限

機器視覺由單純的產線光學檢測，在導入深度學習網路與3D感測技術之後，將進階為具備AI能力的智慧製造產線，這樣的轉變不僅展現在生產效率的提升上，更可以進一步精簡人力成本，然而這僅僅是十八般武藝的開端。
2019 年 01 月 10 日

AI假評論風暴來襲

前陣子中國旅遊網站馬蜂窩被媒體爆料，指出網站中的85%評論皆是造假，在網路上炒得沸沸揚揚。該篇報導指出馬蜂窩網站上的2,100萬則評論中，有1,800萬則是透過機器人從其他網站抄襲而來。儘管馬蜂窩隨即發出聲明表示該媒體文章所指出的數據與事實嚴重不符，然而用人工智慧(AI)創造大量假評論的技術確實存在，在未來此類的假訊息也只會越來越多。
2019 年 01 月 06 日

千瓦應用需求有增無減　眾廠齊推GaN功率元件

隨著科技演進，提升能源使用效率成為業界共同目標。由於氮化鎵功率元件能夠使電子傳導更有效率，也能縮小元件體積，因此未來全球市場將持續成長。看好此趨勢，各大廠也紛紛推出相對應的解決方案。
2018 年 12 月 20 日
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