貿澤供應TI LMG1020低側GaN驅動器

貿澤電子(Mouser Electronics)近日開始供應Texas Instruments的LMG1020氮化鎵(GaN)驅動器。這款單通道低側驅動器能為要求速度的應用提供高效率、高效能的設計,適用於LiDAR、飛行時間雷射驅動器、臉部辨識、擴增實境和Class...
2018 年 11 月 16 日

GaN助力無線充電 磁共振充電功率/距離再提升

氮化鎵(GaN)功率元件具備高開關速度、切換損失等性能優勢,持續為電力電子應用打開更多可能性。其中,基於氮化鎵技術的磁共振(Magnetic Resonance, MR)無線充電,將能使得50W以上無線充電功能更快實現,...
2018 年 11 月 07 日

功率密度要求持續提升 TI 推GaN新品實現千瓦應用

隨著科技演進,無論是在消費電子、工業自動化或是雲端運算帶來的伺服器,各個領域都在追求更高的功率密度,以達到逐漸提升的電力要求。目前,功率元件以MOSFET為主流,但已有廠商陸續推出氮化鎵(GaN)材料元件,以做到更高的切換頻率與晶片尺寸。德州儀器(TI)日前推出的GaN...
2018 年 11 月 05 日

SiC/GaN電源模組封裝材料2023年產業規模達19億美元

碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)正在推動新的電源封裝解決方案發展,市場研究組織Yole Développement表示,SiC技術逐步成為滿足工業要求的重要解決方案,市場估計2017年至2023年的複合年成長率(CAGR)達到29%。電源模組封裝材料產業在2017~2023年的CAGR為8.2%,產業規模將從12億美元成長到19億美元。...
2018 年 09 月 13 日

滿足工業電源傳輸需求 TI從五大面向著手

在資料中心、車用電子、工業等眾多應用驅動之下,全球能源使用量大增,如何有效提高能源使用效率,已是產業界共通的發展課題。為此,德州儀器(TI)將從工業自動化、能源效率、功率密度、分散式與再生能源,以及大數據儲存與傳輸等五大面向著手,透過各種創新技術,提升能源管理效率。...
2018 年 08 月 15 日

滿足高功率轉換/小體積電源設計需求 晶片商啟動SiC軍備競賽

為提升電子系統整體電源轉換效能與功耗,並達到輕量化目標,在矽元件被認為已逐漸面臨極限的狀況下,半導體業者開始發展寬能隙半導體。其中,SiC具備高切換速度與低損耗,可實現輕量化、高效率目標,於電動車、工業等市場中的導入腳步急速加快。
2018 年 08 月 09 日

提升大功率系統轉換效率 eGaN FET扮要角

現今各種應用市場如工業、汽車、資料中心等,對功率的需求持續攀升,而為增加設備的電源使用效率及降低功耗,其系統的轉換效率規格也必須相對提升,因此,新興寬能隙功率半導體如氮化鎵(GaN)便扮演十分重要的角色,不僅可滿足社會對越來越高效的電力需求,還能實現創新應用。...
2018 年 07 月 17 日

迎合高能效/功率密度趨勢 GaN/銅材料成電源設計新寵

採納GaN半導體材料所研製而成的功率元件進行電源系統開發,以及使用具極佳散熱效能的銅合金做為電源模組封裝材料,已成為產業界提高電源系統功率密度,達到更高能源使用效率,兩大值得關注的設計新取向。
2018 年 04 月 09 日

TI新款電源晶片問世 充電時間/裝置尺寸再減半

因應電子產品(如筆記型電腦、平板)小體積大功率的設計趨勢,德州儀器(TI)宣布推出新款主動箝位返馳式(Active Clamp Flyback)電源管理晶片組–UCC28780+UCC24612;可協助設計人員提升個人電子裝置效率,並縮小電源供應和充電裝置解決方案的尺寸。...
2018 年 03 月 21 日

WattUp晶片樣本開始出貨 RF無線充電進軍消費電子

自Energous在2017年底宣布,該公司的Energous Mid Field WattUp傳輸器參考設計已取得聯邦通訊委員會(FCC)認證後,負責供應相關晶片的戴樂格半導體(Dialog)於日前宣布,WattUp晶片的樣本已經開始出貨,可望應用在智慧型手機、穿戴式裝置、聽戴式(Hearable)裝置等消費性可攜式電子和物聯網(IoT)裝置。這也意味著遠距無線充電即將走出實驗室,進入商品化。...
2018 年 01 月 29 日

無線充電元件市場已成紅海 材料創新成活路

由於無線充電聯盟(Wireless Power Consortium, WPC)Qi規格10W以下的各種元件技術皆已發展成熟,相關市場幾乎已成紅海。除了持續發想與推動各種創新應用之外,成本也必須持續壓低才能協助應用拓展。面對中國業者的價格戰威脅,台廠應積極開發新材料並做出市場區隔。...
2017 年 12 月 19 日

利用單端1.6kW L波段電晶體 高功率GaN提升RF性能

設備設計師經常遇到高功率要求的難題,這是單個固態器件遠遠無法滿足的要求。雖然橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)器件具有比較高的功率,但氮化鎵(GaN)技術為設計師帶來了更高的功率密度和效率,能夠在更小封裝尺寸內實現更高的功率,從而可縮小最終設計方案的整體尺寸。
2017 年 12 月 14 日