英飛凌購併Wolfspeed 拓展車用/能源應用商機

英飛凌(Infineon)與科銳(Cree)宣布,英飛凌將以高達8.5億美元現金收購科銳旗下Wolfspeed功率與射頻(RF)部門部門,其中,包含功率與射頻功率相關的矽(SiC)晶圓基板事業。此次的併購案將使英飛凌提供更廣泛的化合物半導體及其電源管理晶片解決方案,包含電動車、再生能源,以及與物聯網相關的下一代蜂巢式基礎設備。...
2016 年 07 月 20 日

氮化鎵「錢」景可期 TI晶片樣品搶先推出

看好氮化鎵(GaN)成長商機,德州儀器(TI)積極布局,於近期推出一款功率可達600瓦的氮化鎵(GaN)場效應電晶體(FET)功率級工程樣本–LMG3410。與基於矽材料FET的解決方案相比,此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計,以滿足隔離式高壓工業、電信、企業級運算和再生能源的應用。 ...
2016 年 05 月 20 日

IDT/EPC攜手研發GaN 探索無線充電/射頻新應用

IDT/宜普電源轉換公司(EPC)將同共拓展氮化鎵(GaN)新商機。兩間公司將聯手發展氮化鎵技術,並結合EPC的eGaN技術和IDT的解決方案,以將氮化鎵技術拓展至無線充電、射頻(RF)和通訊等創新應用領域。 ...
2015 年 05 月 28 日

拓展數位電源應用版圖 微芯新一代DSC產品上陣

數位電源擴大應用版圖。電子產品掀節能減碳風,使得能提供最佳電源效率的數位電源日益受到市場青睞;看準此趨勢,微芯(Microchip)推出新一代數位訊號控制器(DSC)–dsPIC33EP「GS」系列,該系列元件涵蓋多種高階性能且具備高整合度,能協助設計人員以更低成本開發出密度更高、體積更小的電源產品。 ...
2015 年 05 月 20 日

英飛凌收購美國國際整流器公司

英飛凌(Infineon)完成收購美國國際整流器公司(International Rectifier)。收購完成後,英飛凌將擁有更豐富的產品組合與業務版圖,特別是美國與亞洲的中小企業客戶,也會該公司帶來更多電源管理系統專業技術,進一步強化功率半導體方面的專業。 ...
2015 年 01 月 19 日

提高數位電源功率密度 GaN MOSFET應用受矚目

氮化鎵(GaN)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)漸露鋒芒。為提升數位電源系統單位功率密度(Power Density),包括德州儀器(TI)等電源晶片大廠已全力投入GaN MOSFET的應用效能研究。現階段,GaN...
2014 年 12 月 23 日

收購國際整流器 英飛凌壯大功率半導體版圖

英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR),創下該公司有史以來最高收購金額,藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路,強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。 ...
2014 年 08 月 22 日

擺脫電源轉換損耗宿命 HV LED點亮高效率光源

目前廣泛使用的直流發光二極體(DC LED),若要經由市電供電,須外加交流對直流(AC-DC)整流器,易造成額外物料成本及能源轉換損失,因此產業界已發展出以交流電直接驅動的高壓LED(HV LED),可大幅提升LED照明系統的能源利用率和發光效率。
2014 年 02 月 10 日

專訪快捷半導體首席技術長Dan Kinzer SiC功率元件擴張應用版圖

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2014 年 01 月 06 日

鎖定大功率轉換應用 快捷強推SiC功率元件

為改善過去採用矽(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,快捷半導體(Fairchild)已改用碳化矽(SiC)材料量產雙極接面電晶體(BJT),且持續開發出新一代產品,準備大舉插旗太陽能裝置、風能、輕軌牽引(Rail...
2013 年 12 月 27 日

威科與IMEC合作 突破GaN-on-Si成本困境

比利時微電子研究中心(IMEC)與有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程設備供應商–威科(Veeco)日前宣布,將共同投入於矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板研究計畫,目的在於降低功率元件(Power...
2013 年 09 月 12 日

加速LTE-A/5G設計 射頻LNA/PA需求爆發

射頻(RF)元件需求急速增長。先進長程演進計畫(LTE-Advanced, LTE-A)商轉啟動,下一代5G標準亦蓄勢待發,驅動行動裝置射頻系統規格升級。系統廠為支援100MHz超大頻寬、四十個以上頻段並降低雜訊干擾,除計畫增加低雜訊放大器(LNA)和功率放大器(PA)等射頻元件用量外,亦將要求射頻前端模組(FAM)提高功能整合度,吸引晶片商加緊展開卡位。 ...
2013 年 08 月 26 日