美光量產HBM4 36GB 12H及業界首款PCIe Gen6 SSD 推動NVIDIA AI平台性能提升

美光科技宣布已於2026年第一季開始量產出貨HBM4 36GB 12H,專為NVIDIA Vera Rubin GPU設計。美光HBM4的資料傳輸速率超過11 Gb/s,頻寬突破2.8 TB/s,相較於HBM3E,其頻寬提升了2.3倍,能源效率則提升超過20%。 為進一步擴展HBM堆疊容量,美光已開始向客戶送樣HBM4...
2026 年 03 月 18 日

盧超群:摩爾定律不死 記憶體旺到2027年

在半導體製程技術進入7奈米以下的先進製程之後,摩爾定律已死的說法不斷出現,鈺創科技董事長盧超群日前在其CES 2026展前媒體活動上指出,摩爾定律將持續帶領半導體產業前進。針對近期記憶體的漲價與缺貨風潮,也表示在AI產業的帶動之下,記憶體目前的價格是反映合理的區間,同時缺貨將持續到2027年。 鈺創科技董事長盧超群指出,摩爾定律並沒有失效,將持續帶領半導體產業前進 半導體技術進入先進製程之後,製程演化不再遵循摩爾定律的節奏,因此產業不斷傳出摩爾定律趨緩甚至摩爾定律已死的說法,盧超群認為,儘管單純製程的進化已不如過去,但透過異質整合與3D堆疊技術,單位面積上的電晶體數量大致還是能維持每18個月翻倍的定律,所以他強調摩爾定律並沒有失效;另外,這對在學的學生來說,亦是維持學習動力的關鍵之一。 而針對當前的記憶體漲價趨勢,盧超群則認為,過去30年半導體技術的發展,讓記憶體容量成長好幾百倍,但價格僅是過去的三倍,科技應用並未彰顯記憶體元件的重要性,因此長期低估了記憶體的價值。而隨著AI技術的興起,記憶體成為運算效能的關鍵之一,也讓記憶體的地位與價格回到該有的位置。 針對記憶體缺貨的原因,業界傳出是HBM3E需求高漲,目前所有先進記憶體產線皆投入HBM3E的生產與2026年HBM4的量產準備,加上高階HBM良率不高,導致市場上記憶體難求;較舊的1x記憶體產線則以生產DDR5為主,產能也無法供應需求,同時壓縮到DDR4的產能,造成市面上幾乎所有的記憶體供給都宣告吃緊,有錢也買不到。 關於2026年半導體產業景氣,盧超群強調,半導體產業景氣相當樂觀,AI沒有出現泡沫化訊號,也不會出現泡沫化的狀況,市場需求由應用全面帶動;全球半導體產業擴張速度超乎預期,原訂2030年達到1兆美元產值將提早於2028年達成,邊緣AI應用持續落地,鈺創與亞光策略合作,以鈺創的機器人控制晶片、AI感測模組加上亞光鏡頭與3D感測模組,推出運送與機器人底座準系統,加速客戶運送機器人、服務型機器人產品落地時程。 鈺創2026年美國CES展,將以「MemorAiLink...
2025 年 12 月 27 日

美光要用一張「不平等條約」,讓 AI 巨頭甘願排隊交保護費

  如果在三天前有人告訴你,一家做記憶體的硬體製造廠能繳出軟體公司等級的獲利能力,你大概會覺得這是天方夜譚。但美光剛剛發布的2026會計年度第二季財報指引,直接把這個幻想變成了現實。 營收預估...
2025 年 12 月 22 日

HBM4決戰:三星技術突圍 美光戰略失誤恐重塑記憶體版圖

當NVIDIA將HBM4規格要求從9Gb/s一舉提升至10+ Gb/s時,全球記憶體產業的技術實力高下立判。這不僅是一場技術競賽,更是決定未來AI晶片供應鏈格局的關鍵戰役。SK海力士憑藉技術領先穩坐龍頭,三星展現驚人的追趕能力,而美光卻因戰略失誤面臨出局危機。2025年,記憶體產業即將迎來一場深刻的格局重塑。 三星技術突圍,用產能優勢彌補良率短板 三星這次的技術突破確實令人刮目相看。透過1c...
2025 年 09 月 22 日

美光推出12層堆疊36GB HBM4記憶體以滿足AI需求

美光(Micron)宣布其12層堆疊36GB HBM4已對多家主要客戶送樣。隨著資料中心對AI訓練與推論工作負載需求持續升溫,高效能記憶體的重要性達到歷史新高。美光HBM4在AI記憶體效能和能源效率方面展現出顯著的技術優勢,並為開發下一代AI平台的客戶提供無縫整合的解決方案。 美光HBM4記憶體具有2048位元介面,每個記憶體堆疊的傳輸速率超過2.0...
2025 年 06 月 16 日

HBM4規格大幅提高 溢價幅度或將增加30%

根據TrendForce最新研究,HBM技術發展受AI server需求帶動,三大原廠積極推進HBM4產品進度。由於HBM4的I/O數增加,複雜的晶片設計使得晶圓面積增加,且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能,皆推升成本。有鑑於HBM3e甫推出時的溢價比例約為20%,預料製造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。 AI晶片領先業者NVIDIA於2025年GTC大會亮相最新Rubin...
2025 年 05 月 29 日

JEDEC正式發表HBM4標準 AI/HPC系統效能更上一層樓

JEDEC正式發表備受期待的下一代高頻寬記憶體(HBM) DRAM標準:HBM4。JESD270-4 HBM4將在HBM3的基礎上,進一步提高資料處理速度,同時保持高頻寬、能源效率及大儲存容量等基本特徵,因為更高的頻寬使得更高的資料處理速率成為可能。該標準已在JEDEC官網上開放下載。 HBM4帶來的進步,對於需要有效處理大型資料集和複雜運算的應用至關重要,包括生成式人工智慧(AI)、高效能運算(HPC)、高階顯示卡和伺服器。在前一版本標準的基礎上,HBM4引入了許多改進,包括: •...
2025 年 04 月 17 日

生成式AI帶來40年未見變局 半導體走向廣結善緣新時代

作為台灣半導體產業的年度盛事,SEMICON Taiwan一直是觀察半導體景氣與未來趨勢的重要窗口。但今年的SEMICON Taiwan很不一樣,原本王不見王的某些半導體大廠,今年不僅齊聚一堂,還同台共演。這個罕見的景象,顯示半導體產業正面臨前所未有的變局。 全球最大且最具影響力半導體年度盛會SEMICON...
2024 年 09 月 27 日

HBM4 2025年量產在即 JEDEC將完成標準

JEDEC固態技術協會於2024年7月10日宣布,新一代高頻寬記憶體(HBM)標準HBM4即將完成。在此之前,三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)都在2022年投入HBM4的研發,並預計HBM4在2025~2026年量產,可見HBM4的市場競爭在標準完成之前早已開跑。 HBM4標準相較HBM3加快資料處理速度,也提高頻寬、降低功耗,並且維持晶片堆疊即可增加容量的特性。新標準的推出,可望加快大型數據集與複雜運算應用的處理效率,可應用與AI、高效能運算(HPC)、高階顯示卡與伺服器等領域。 HBM4的通道數量是HBM3的兩倍,封裝尺寸也更大。為了裝置支援的相容性,HBM4標準會確保單一控制器可以同時控制HBM3及HBM4。不同的HMB4配置,需要使用相應的中介層來符合HBM4的尺寸。HBM4標準將規範每一層堆疊的容量為24...
2024 年 07 月 15 日