宜特TEM材料分析技術突破10奈米

宜特科技(iST)材料分析檢測技術已突破10奈米製程。該技術不僅協助客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證，更獲積體電路失效分析論壇(IPFA)肯定，並於會議期間發表最新研究成果。 近年來企業為打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導體元件，以滿足現今智慧產品之需求，各大廠在先進製程開發的腳步越來越快，已從去年20奈米製程，邁入今年的14奈米製程；其中包括台積電，英特爾，三星等大廠，更預計陸續於明年進入10奈米以下的量產階段，因此帶動整個供應鏈的TEM分析需求。 宜特繼去年布建TEM設備，聘僱多位博士級的TEM專家，如國內TEM權威博士鮑忠興，經過一整年研發，不僅產能大躍進，其檢測分析能量更從去年14奈米，向下突破至10奈米製程，更獲多間客戶如LED磊晶廠、半導體設備廠與晶圓代工廠肯定，下半年將持續擴產以因應客戶需求。...
2015 年 07 月 16 日

iST集團研發成果再添佳績

iST宣布台灣宜特總部與子公司上海宜碩，從全球個中好手脫穎而出，高達三篇研究成果，獲選進入2013年積體電路失效分析論壇(IPFA)發表研究成果。 IPFA為IEEE於1985年成立，至今已發展為世界舉足輕重的可靠性與失效分析會議組織。今年，第20屆IPFA國際會議，將於7月15～-19日大陸蘇州舉行，宜特將在此會議中，以IC質量為主軸，分別探討「3DIC微凸塊失效觀察」、「IC電磁輻射消除」與「EOS脈衝波過電保護」三方面。 在3DIC方面，iST研究出兩種克服的方式，其一是利用研磨技術將3DIC微凸塊(u-bump)失效區域定位，並搭配聚焦離子束顯微鏡(FIB)，將其失效微凸塊切削進行斷面觀察；其二是擴大可觀察的微凸塊範圍，從100微米(um)提升至3000微米，此兩項技術亦可使用在3DIC的矽穿孔(TSV)結構觀察。 而在IC電磁輻射消除的研究上，iST藉由傳統與專利研發的新型FIB搭配，將任意電容值的電容放置於IC晶片上，並與IC內部的訊號節點作連結。藉此方法，客戶不需重新投片，即可找到電磁輻射源頭並加以消除，提供IC設計者一種CP值極高的IC...
2013 年 05 月 21 日
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