推升RF應用元件整合度 氮化鎵特性一鳴驚人
若要以矽(Si)與砷化鎵(GaAs)材料實現基地台、相位陣列雷達等RF應用，勢必得增加額外的散熱、保護晶片元件，而氮化鎵(GaN)適合高功率應用的材料特性，將可望解決這個問題，進一步推升RF應用元件的整合度。
穩懋半導體研發處處長王文凱表示，目前矽、砷化鎵在RF應用上已遇到製程與材料的雙重瓶頸。對於應用日新月異的需求，有越來越多客戶希望半導體材料能支援更大的功率、更高的頻率，雖從矽到砷化鎵的階段，著實已擴展了材料可支援的功率與頻率，但在下個階段，氮化鎵將會在RF應用上有大幅度的進展。
王文凱進一步表示，目前穩懋的客戶已經將砷化鎵應用於75~85GHz毫米波通訊上，但可惜的是，砷化鎵無法在高頻時維持同樣水準的功率，因當該材料進入到較高的頻率時，必定會損失一些功率密度，這讓應用的傳輸距離受到限制。這個問題讓產業開始尋找適合高頻、高功率應用的新材料。
雖現階段氮化鎵製程仍比較貴，但氮化鎵可實現的材料效率，卻比明顯橫向擴散金屬氧化物半導體(Lateral...
2017 年 10 月 27 日
