改善光源/生產力 EUV拼10奈米量產商用

採用極紫外光(EUV)微影(Lithography)設備的10奈米製程量產在即。艾司摩爾(ASML)已開發出第三代EUV微影方案–NXE:3300B,大幅提升光源效能和生產力(Throughput),並計畫於2016年底前,達到每天曝光一千五百片晶圓目標,助力客戶加速啟動10奈米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產。 ...
2014 年 09 月 15 日

為量產10nm製程鋪路 ASML攜手IMEC建置APC

艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC),助力半導體產業突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光製程技術關卡,讓微影(Lithography)技術及其設備更臻成熟,加速製程微縮技術的商用化。 ...
2013 年 10 月 09 日

大添新機台 中國藍寶石基板廠急擴PSS產能

中國大陸藍寶石基板廠正加碼投入圖案化藍寶石基板(PSS)開發。由於傳統平面(Plane)藍寶石基板價格驟降,中國大陸藍寶石基板製造商正大舉採購微影(Lithography)與蝕刻(Etching)機台,以提高PSS產能,藉此拉升產品毛利率。 ...
2012 年 09 月 18 日

催生18吋晶圓技術 ASML啟動客戶共同投資計畫

艾司摩爾(ASML)宣布啟動客戶共同投資計畫(Co-investment Program),邀請客戶參與其下一代極紫外線(EUV)微影(Lithography)和18吋晶圓設備研發,其中英特爾(Intel)已率先加入,透過該計畫可望為14奈米製程及18吋晶圓的發展時程縮短2年。 ...
2012 年 07 月 11 日

20奈米製程聲聲催 EUV光罩/晶圓檢測發展趕進度

在先進製程邁入20奈米之際,半導體設備商正積極透過策略結盟方式發展EUV光罩缺陷檢測系統,以加速實現EUV技術應用於20奈米節點的目標;另一方面,擁有更高晶圓缺陷檢測精準度與吞吐量的電子束晶圓缺陷檢視設備,需求也逐漸看漲。
2011 年 10 月 03 日

插旗EUV版圖 KLA/SEMATECH締結盟約

為實現零缺陷的極紫外光(EUV)光罩,光罩缺陷檢測系統不可或缺。有鑑於EUV前景可期,科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結盟發展光罩缺陷檢測系統,以加速EUV技術成熟,並藉此卡位EUV市場先機。 ...
2011 年 08 月 18 日

前十大半導體設備商揭曉 ASML/泰瑞達最嗆

拜記憶體製造商與晶圓廠加碼擴產之賜,2010年全球半導體資本設備支出金額較2009年劇增143%,其中,先進製程演進和晶片多功能整合趨勢更促使微影(Lithography)與自動化測試設備(ATE)重要性顯著攀升,讓艾司摩爾(ASML)與泰瑞達(Teradyne)2010年營收分別創下高達219%與209%的增長幅度,成為2010年前十大半導體設備供應商中,成長最亮眼的業者。 ...
2011 年 04 月 07 日

設備商出新招 半導體製造成本再下探

甫於日前落幕的日本半導體設備暨材料展(SEMICON Japan 2010)上,包括應用材料(Applied Materials)與艾司摩爾(ASML)等設備大廠分別宣布,在半導體蝕刻(Etch)與微影(Lithography)製造技術上取得新的突破,將可大幅提升半導體業者在先進製程世代的製造良率,並降低整體營運成本。 ...
2010 年 12 月 07 日

台積電相挺 EUV/E-Beam決戰22奈米世代

台積電日前相繼宣布將導入與Mapper合作開發的無光罩(Maskless)微影,以及艾司摩爾(ASML)最新極紫外光(EUV)微影系統TWINSCAN NXE:3100於22奈米製程的研發,讓原本發展相對落後的電子束(E-Beam)技術後來居上,並將與EUV一同角逐下世代微影技術主流寶座。 ...
2010 年 02 月 24 日

3D IC/DDR3帶動半導體CAPEX反彈

在技術轉換需求的激勵下,2010年全球半導體資本設備支出預期將勁揚45.3%,並自2010年底起一路大幅成長至2011年。   Gartner研究副總Dean...
2009 年 12 月 15 日

專訪ASML研發副總裁Jos Benschop

歷經將近20年的發展,極紫外光(EUV)微影技術終於在相關業者的努力下,穩步邁向大量商用階段。尤其是近期在光學鏡頭與光阻劑(Photoresist)的發展取得重大斬獲,更加確立EUV在下世代微影技術的重要角色。不過,「革命尚未成功」,眼前還有最後一道難題--光罩缺陷檢測(Mask...
2009 年 11 月 23 日

ASML EUV微影系統2010年如期推出

業界期盼已久的極紫外光(EUV)微影(Lithography)系統,可望於2010年下半年問世。屆時將有助記憶體與邏輯晶片製造商進一步朝向22奈米及以下製程節點微縮,讓摩爾定律得以持續延續。 ...
2009 年 10 月 12 日