瞄準GaN商機 ST攜手Leti開發矽基氮化鎵功率轉換技術
布局氮化鎵(GaN)市場，意法半導體(ST)近期宣布和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵功率切換元件製造技術，以滿足高效能、高功率的應用需求，例如電動汽車車載充電器、無線充電和伺服器等。雙方將利用IRT奈米電子技術研究所的框架計劃，製程技術將會從Leti的200mm研發線移轉到ST的200mm晶圓試產線，預計2020年前投入運營。
如何提高能源使用效率，已是產業界共通的發展課題，而氮化鎵具備更高的開關速度、更低的切換損失等特性，能有效提升高功率電源系統能源效率。因此，許多電源相關晶片業者紛紛將未來產品重心放在GaN的應用導入之上；有鑒於矽基氮化鎵技術對電源產品應用的吸引力，Leti和ST正在評估高密度電源模組所需的先進封裝技術。
意法半導體汽車與離散元件產品部總裁Marco...
2018 年 10 月 02 日
