SiC熱特性優異 電源轉換效能更上層樓

市場對切換速度、功率、機械應力和熱應力耐受度之要求日益提升,而矽元件理論上正在接近性能上限。寬能帶隙半導體元件因電、熱、機械等各項性能表現俱佳而被業界看好,被認為是矽半導體元件的替代技術。
2018 年 01 月 04 日

TI LED照明控制器滿足高功率需求

德州儀器(TI)近日推出無需內部MOSFET的3通道高端線性汽車發光二極體(LED)控制器–TPS92830 -Q1,為設計人員提供了更彈性的照明設計靈活性。與傳統的LED控制器相比,新款控制器的創新架構具有更高的功率和更佳的散熱功能,特別適用於要求高效能和高可靠度的汽車LED照明應用。...
2017 年 12 月 06 日

ADI推出主動整流控制器

亞德諾半導體(ADI)宣布推出Power by Linear的主動整流控制器LT8672,該元件具有至–40V的反向輸入保護。3V至42V的輸入電壓能力非常適合汽車應用,此類應用必須於冷啟動和停-啟情況下,低至3.0V的最低輸入電壓和高達40V...
2017 年 11 月 16 日

馬達驅動應用求小巧/穩定/高效能 MOSFET新技術富潛力

隨著馬達驅動市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。為滿足市場需求,半導體廠商針對不同的運作狀況提供多種功率切換技術,例如IGBT、超高速功率(UltraFAST) MOSFET和最新的超接面功率MOSFET。
2017 年 11 月 02 日

凌力爾特雙輸入優先順序排序器提供低靜態電流

亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear)日前推出適用於2.5V至40V系統的雙輸入電源優先順序排序器–LTC4418。為實現可攜性、在欠壓期間保持記憶體運作、以及在電源缺失時確保平穩的關機,電子系統採用了電池和電容器作為備份電源。...
2017 年 09 月 21 日

意法新增五款表面黏著智慧功率模組

意法(ST)推出之SLLIMM-nano系列IPM產品新增五款節省空間的表面黏著智慧功率模組(Surface-Mount Intelligent Power Module, IPM),提供IGBT或MOSFET輸出選擇,用於馬達內建驅動器或其他空間受限的驅動器,輸出功率範圍從低功率至最高100W之電力。...
2017 年 08 月 17 日

嵌入式運算設備追求小型化 3D封裝解決POL散熱難題

工業電腦、閘道器等嵌入式運算設備,為了降低成本、方便用戶進行布署,在外觀設計上都越來越小巧。但這類設備內部的電源負載並沒有因此而減少,因此負載點(POL)電源的功率密度要求持續提升。然而,工程師在選擇POL模組時,不只要注意功率密度,還要考量模組的散熱性能。
2017 年 08 月 14 日

凌力爾特72V DC/DC控制器無需功率電感

亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear)日前推出大功率固定比例充電泵DC/DC控制器–LTC7820,該元件在非隔離式中間匯流排轉換器中無需功率電感,因此可將電路尺寸縮減達50%,並提供高達4000W/in3的功率密度。該控制器在分壓器、倍增器或反相器配置中,能以高達99%的效率驅動外部MOSFET。其開路固定工作週期非常適合配電、資通訊、電訊、高階運算和工業系統中的非隔離式中間匯流排應用。...
2017 年 06 月 27 日

Maxim發布新型DC-DC降壓轉換器

Maxim日前推出MAX17572和MAX17574 Himalaya同步降壓DC-DC轉換器,幫助系統架構師,快速實現符合國際電工委員會(IEC)標準,及安全完整性等級(SIL)標準要求的設計,確保系統的長期穩定性,新型高效轉換器可將功耗降低40%、方案尺寸减小50%。...
2017 年 05 月 23 日

Diodes 推出兩款高頻閘極驅動 IC

Diodes 推出的 DGD0506 和 DGD0507 高頻閘極驅動 IC,專門設計用於驅動半橋組態 下的兩部外接 N 溝道 MOSFET。50V 的額定值可滿足各種馬達驅動需求,特別是無 刷直流(BLDC)馬達,這類馬達越來越常用在電池供電的應用上,像是無人機、風...
2017 年 05 月 09 日

凌力爾特SEPIC控制器可操作於175°C高溫環境

凌力爾特(Linear)日前宣布推出寬廣輸入範圍、電流模式、升壓、反馳或 SEPIC 控制器 LTC1871X,該元件可驅動 N 通道功率 MOSFET,並只需極少外部元件。LTC1871X 適用於低...
2017 年 04 月 25 日

意法發表2.6A有刷直流馬達驅動器晶片

意法半導體(ST)擴大其微型低壓高效馬達驅動器產品組合,推出電池供電之攜帶式和穿戴式裝置的STSPIN250 2.6A有刷直流馬達單晶片驅動器。 新款驅動器晶片在一個可節省攜帶式裝置空間的3mm×3mm微型封裝內,其整合一個功率MOSFET全橋和一個關斷時間固定的PWM電流控制器。功率級的低導通電阻(上橋臂與下橋臂共200mΩ)和低待機功耗(小於80nA),有助於最大限度延長攜帶式裝置的電池續航時間,並降低機殼溫度。...
2017 年 04 月 17 日