節能迫在眉睫　高效能功率電子設計勢力抬頭

拜通過半導體技術而獲得更高效能所賜，至2030年美國的經濟規模能夠擴大超過70%，但使用的電能卻減少11%。目前在超低損耗金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)/絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)、智慧電源IC及整合功率模組(IPM)等方面皆已取得進展。
2011 年 04 月 04 日

IR推出iP1837/iP1827 iPowIR穩壓器

全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)推出iP1837及iP1827 iPowIR穩壓器，適用於包括伺服器、網路通訊、數據儲存及電訊設備等要求大電流的負載點(POL)應用。  ...
2011 年 03 月 09 日

提高太陽能轉換效率　節能功率半導體助臂力

2011年，各界預期太陽能產業將先蹲後跳，亦即仍會維持向上成長態勢，展望太陽能前景可期，功率半導體供應商無不卯足全力分食市場大餅，除火紅的太陽能逆變器關鍵元件MOSFET、IGBT等外，能再大幅提升轉換效率的新功率半導體材料與電源管理解決方案將競出籠。
2011 年 03 月 01 日

布局綠能　恩智浦搶進太陽能/智慧電網/LED

綠能商機可期，吸引半導體業者加碼部署，2011年於深圳舉行的中國國際積體電路研討會暨展覽會(IIC)中，恩智浦(NXP)不僅展示旗下太陽能、智慧電網與發光二極體(LED)產品線，更針對上述三大當紅的綠能產業揭櫫未來產品藍圖，積極拓展市場版圖。 ...
2011 年 02 月 25 日

低電壓FET/緩衝器加持　同步降壓電路雜訊顯著改善

同步降壓轉換器將蕭特基(Schottky)箝位二極體(Clamp Diode)更換為下端金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)而達到高效率，此種MOSFET能夠在切換時達到極低降幅，然而，由於其中並未採用蕭特基二極體，因此，在二極體關閉而上端MOSFET啟動時，波形會產生極大的振鈴，這是因為下端MOSFET必須完全關閉，上端MOSFET才會啟動，以消除橫向傳導。
2011 年 02 月 14 日

凌力爾特同步降壓DC/DC控制器支援高溫

凌力爾特(Linear Technology)日前發表高輸入電壓同步降壓直流對直流(DC-DC)控制器LTC3810H-5，此元件具備達150°C 保證接面溫度操作規格。運用固定的on-time峽谷電流模式控制架構，能以精準的週期對週期限流提供非常低的工作週期和極快速的瞬變響應，而不需感測電阻。 ...
2011 年 02 月 10 日

太陽能逆變器缺貨　晶片商加碼布局IGBT

雖然2010年全球太陽能產值大幅提升73%，成長力道相當強勁，卻也導致逆變器關鍵元件絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)供不應求。不讓東芝(Toshiba)、快捷(Fairchild)等晶片商專美於前，新進業者安森美(On...
2011 年 01 月 21 日

強化電源戰力　英飛凌擬改12吋晶圓量產

繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫，希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠，以因應市場持續高漲的節能需求，並鞏固既有市場地位。 ...
2010 年 12 月 27 日

IR推出IRS2053MD類音頻驅動晶片

大廠國際整流器(IR)鎖定D類音頻應用，近日推出IRS2053M 200伏特(V)驅動器晶片，此元件適用於包括高性能的家庭影院系統和適用於狹小占位空間的汽車音頻放大器。   ...
2010 年 12 月 27 日

專訪凌力爾特副總裁Donald E. Paulus

甫於9月底結算完2011年會計年度第一季營收的凌力爾特(Linear Technology)，再次締造營運高峰，首季營收達3億8,860萬美元，不僅較前一季成長6%，更是該公司連續第五個季度創下營收新高紀錄，展現其自金融海嘯後強勁的復甦力道。
2010 年 12 月 13 日

恩智浦半導體推出30V RDS(on) MOSFET

恩智浦(NXP)日前推出NextPower系列首款30伏特(V)Power-SO8金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)，此元件具低RDS(on)1.4毫歐姆(mΩ)4.5伏特MOSFET，鎖定4.5伏特開關應用使其最佳化，採用LFPAK封裝技術亦即最牢固的Power-SO8封裝。 ...
2010 年 12 月 08 日

專訪德州儀器台灣區總經理陳建村

德州儀器(TI)新增類比晶圓產能即將於2011年初陸續上線運作。其中，市場正處於供不應求的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)更將成為該公司首波搶攻重點，除目前主力發展的高整合低壓MOSFET外，也將跨足中高壓產品市場，進一步擴大電源晶片市場版圖。
2010 年 12 月 02 日
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