高效/省電/散熱佳 德州儀器NexFET強力出擊

德州儀器(TI)推出NexFET Power Block電源供應解決方案,將兩個金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)晶片放在單一封裝中,能在25安培電流下實現超過90%的電源效率,體積為競爭對手的一半,並在成本縮減下增加2%的效能。適用於伺服器、個人電腦、基地台、交換器、路由器及高電流多重非標準負載點(POL)轉換器等裝置上。 ...
2010 年 06 月 10 日

NXP小型無鉛離散封裝散熱效果佳

恩智浦(NXP)推出兩款最低0.65毫米的2毫米x2毫米小訊號離散無鉛封裝。透過具良好熱性能和導電性的無遮蔽散熱片,可提高塑膠表面封裝元件(SMD)封裝的壽命,並提供三/六引線(SOT1061/SOT1118)兩個版本。新產品包括26款FET-KY、雙P通道金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、低VCesat電晶體和肖特基(Schottky)整流器,最高功耗Ptot2.1瓦特。該性能約與標準封裝SOT89(SC-62)相當,但只需一半的電路板空間。 ...
2010 年 06 月 04 日

IR HID安定器控制IC可簡化工業照明設計

國際整流器(IR)推出功能齊全的IRS2573DS高強度氣體放電(HID)電子安定器控制IC,適用於低、中及高功率通用工業用HID應用,包括零售店射燈、一般戶外照明應用和戶外街道照明。  ...
2010 年 04 月 29 日

10年來頭一遭 功率電晶體銷售成長率達31%

隨著半導體市場逐漸從谷底攀升,功率電晶體(Power Transistor)的銷售量也與日俱增。根據IC Insights最新研究報告指出,在歷經2009年驟跌16%後,功率電晶體銷售可望在2010年成長31%,達到109億6,000萬美元的規模,是2000年創下32%的銷售成長率紀錄後,首度重新突破30%成長大關的新紀錄。 ...
2010 年 04 月 29 日

新場效電晶體問世 NexFET開關損耗特性耀眼

目前在200伏特以下輸入電壓的電源應用中,MOSFET已成為業界最常用的電源開關。隨著時序進入21世紀,業界出現採用較高切換頻率直流對直流(DC-DC)轉換器的趨勢,因此對MOSFET的開關耗損要求變得更加嚴苛,而第三代NexFET電源MOSFET即是將改良重點放在改進開關的動態效能上。
2010 年 04 月 22 日

兼顧成本/尺寸/效能 SMPS設計勢在必行

影響電源設計效能的因素眾多,在電路配置與元件選擇上更無一體適用的公式可循,因此,惟有掌握產品設計與節能規範的趨勢,並對症下藥,才能以最短的開發時程,出奇制勝。
2010 年 04 月 19 日

IR新DirectFET晶片降低傳導及開關耗損

國際整流器公司(International Rectifier, IR)推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)晶片組,應用於12伏特輸入同步降壓,包括伺服器、桌上型和筆記簿型電腦,提供一流的效率。 ...
2010 年 04 月 16 日

ST發布創新型塑膠氣腔封裝可降低成本

意法半導體(ST)發布新型STAC塑膠氣腔(Air-cavity)封裝,與陶瓷封裝相比,新型封裝可為高功率電晶體射頻(RF)應用,包括收發器、廣播設備以及核磁共振攝影(MRI)掃描儀,實現更高性能和成本優勢。 ...
2010 年 04 月 15 日

安捷倫提升B1505A功率元件分析儀功能

安捷倫(Agilent)為旗下的B1505A功率元件分析儀/曲線追蹤儀提供增強功能,使其成為首款可在40安培電流和3000伏特電壓下,對半導體元件進行特性描述的整合解決方案。   ...
2010 年 04 月 14 日

LTC新DC-DC控制器適用汽車冷啟動設計

凌力爾特(Linear Technology)發表擁有三組輸出(降壓、降壓、升壓)低靜態電流同步直流對直流(DC-DC)控制器–LTC3859,能在汽車冷啟動狀況下保持所有輸出電壓穩壓。高效率同步升壓轉換器饋入兩個降壓轉換器,可避免汽車電池下降時輸出電壓的壓降,可於汽車啟動/停止系統於怠速關掉引擎時,協助節省燃料。 ...
2010 年 04 月 01 日

Linear發表三相DC-DC控制器

凌力爾特(Linear Technology)發表效率達95%的多相(PolyPhase)同步DC-DC控制器–LTC3731H,可操作至140ºC的接面溫度。此控制器可針對60~240安培的電源供應設計從三相位擴展為十二相位操作。±5%精確輸出相位電流匹配可平衡地散熱於輸出端而簡化散熱管理。應用範圍涵蓋高電流特定應用積體電路(ASIC)和現場可編程閘陣列(FPGA)供應、電源分散匯流排、汽車引擎控制元件及網路伺服器。 ...
2010 年 03 月 26 日

改用新SuperSO8封裝 OptiMOS脫胎換骨

金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)是開關式電源的核心裝置,在此類產品的效能最佳化過程中,扮演著極重要的角色。要達到高效率的運作,除了需要最新的矽晶片技術外,封裝也有助於大幅提高效率,因此具備低寄生電阻、低電感、高效熱耦合且體積小的SuperSO8封裝技術遂脫穎而出。
2010 年 03 月 22 日