快捷MicroFET採薄型封裝版本

快捷(Farichild)宣布其MicroFET現在推出領先業界薄型封裝版本,以協助設計人員提升其設計性能。這款整合式P溝道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與肖特基二極體元件FDFMA2P859T為單一封裝的方案,可滿足電池充電和功率多工應用中對效率和熱性能需求。 ...
2009 年 11 月 24 日

凌力爾特LTC3775具低最短導通時間

凌力爾特(Linear Technology )發表一款擁有低最少導通時間的寬廣輸入電壓範圍、同步降壓直流對直流(DC-DC)切換穩壓控制器LTC3775,其可驅動所有N通道功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)步階。 ...
2009 年 11 月 10 日

兼顧效能/成本 矽二極體PFC整流器崛起

電源管理設計同時兼顧轉換效率、電源密度、價格與可靠度不再遙不可及,美商科斯德(Qspeed)於3日發表高效率600伏特H系列功率因素校正(PFC)整流器,除擴展矽二極體低逆向復原電荷(QRR)及轉換效率優勢之外,成本較傳統碳化矽方案更具競爭力。 ...
2009 年 11 月 05 日

IR為DDR3記憶體模組提供功率方案

國際整流器(IR)推出IR3522及IR3506 XPhase晶片組,為DDR3多相位記憶體應用提供全面的功率解決方案。新推出的IR3522雙輸出脈衝寬度調變(PWM)控制器內建了I2C介面,同時為DDR3...
2009 年 10 月 23 日

快捷半導體升壓開關提升DC-DC設計

快捷半導體(Fairchild Semiconductor)升壓開關產品FDFME3N311ZT將可協助提高手機、醫療、可攜式和消費性應用設計中升壓轉換電路的效率。該元件結合了30伏特整合式N溝道PowerTrench...
2009 年 10 月 01 日

大陸電動車市場增溫 功率模組重要性攀升

在官方政策大力支持下,中國大陸電動車與混合動力車(Hybrid Car)市場已加足馬力全速發展,而為搭上此波成長風潮,意法半導體(ST)與英飛凌(Infineon)已分別加重在絕緣柵雙極型電晶體(IGBT)等功率模組及相關開發套件的研發,並與中國大陸當地車廠展開密切合作,期能搶占一席之地。 ...
2009 年 09 月 29 日

搶救行動上網裝置電源 PMIC/PMU分進合擊

Smartbook、行動聯網裝置與易網機電源設計架構的轉型,為電源晶片業者開創新商機,但為突顯小體積、低價格優勢,可提供更小尺寸、更具成本競爭力及更高轉換效率的PMIC和PMU方案需求量也因此水漲船高。
2009 年 09 月 27 日

IR高側驅動器IC配備內部Vs電荷

國際整流器(IR)推出AUIRS2016S元件,適用於汽車閘極驅動器應用,包括通用噴軌、柴油和汽油缸內直噴應用及螺線管驅動器。AUIRS2016S是一款高電壓功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)高側驅動器,具有內部電壓尖峰至接地(Vs-to-GND)充電NMOS。 ...
2009 年 09 月 10 日

輕薄電腦當道 同步整流MOSFET優勢立現

更輕薄、更長電池續航力的筆記型電腦大行其道,連帶使得同步整流金屬氧化物半導體場效電晶體(Synchronous Rectifier MOSFET)重要性與日俱增,不僅顯著提升筆記型電腦電源轉換效率,更可大幅縮小交流對直流電源轉換器(AC-DC...
2009 年 09 月 02 日

國際整流器推出基準工業級30V MOSFET

全球功率半導體和管理方案廠商國際整流器(IR)推出一系列工業認可的30伏特TO-220 HEXFET功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET),為不斷電系統(UPS)反相器、低電壓電動工具、ORing應用及網路通訊和伺服器電源等應用,提供非常低的閘電荷(Qg)。 ...
2009 年 08 月 31 日

精簡高效成電源顯學 高壓MOS攻防戰開打

高壓MOSFET在節能意識高漲的市場環境下重要性日增,而以超接面技術製造的高壓MOSFET,由於可較標準平面式MOSFET在相同單位面積內,實現更小的導通電阻,因而成為功率半導體元件業者競相布局的重點。
2009 年 04 月 03 日

提高LED TV動態比 局部調光功不可沒

現階段LED TV背光模組設計技術有新進展,將有助於色彩飽和度、功耗、亮度、對比度等效能提升,惟成本仍是最大阻礙,成為廠商戮力解決的課題。
2008 年 06 月 26 日